STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar

Resultat: 69
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Kvalificering
STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 17 Veckor
Min.: 600
Multipla: 600

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 76 nC - 55 C + 200 C 398 W Enhancement
STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 17 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 90 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 120 nC - 55 C + 200 C 486 W
STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 17 Veckor
Min.: 600
Multipla: 600

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement
STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 600

STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 19 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 800

STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Datablad
Ej på lager
Min.: 600
Multipla: 600

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement
STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle: 1 000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 37 nC - 55 C + 175 C 223 W Enhancement
STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 17 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 41 nC - 55 C + 200 C 236 W Enhancement
STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 17 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 19 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole STPAK-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 239 A 10.5 nC - 10 V, + 22 V 4.4 V 304 nC - 55 C + 200 C 994 W
STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 19 Veckor
Min.: 448
Multipla: 448

Through Hole N-Channel 1 Channel 1.2 kV 239 A 10.5 mOhms -10 V, 22 V 4.4 V 304 nC - 55 C + 200 C 994 W Enhancement
STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 32 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.45 V 61 nC - 55 C + 200 C 278 W Enhancement
STMicroelectronics SCT012HU90G3AG
STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A
Datablad
Ej på lager
Min.: 600
Multipla: 600
Papprulle: 600

STMicroelectronics SCT019H120G3AG
STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in an
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle: 1 000

STMicroelectronics SCT040H65G3-7
STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle: 1 000

STMicroelectronics SCT040W65G3AG
STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 17 Veckor
Min.: 600
Multipla: 600

STMicroelectronics SCT055H65G3-7
STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle: 1 000

STMicroelectronics SCT055H65G3AG
STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle: 1 000