SCT027HU65G3AG

STMicroelectronics
511-SCT027HU65G3AG
SCT027HU65G3AG

Tillverk:

Beskrivning:
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

Livscykel:
Ny produkt:
Nytt från denna tillverkare.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
Ej på lager
Fabrikens ledtid:
18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
126,66 kr 126,66 kr
94,50 kr 945,00 kr
81,75 kr 8.175,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 600)
77,39 kr 46.434,00 kr
65,73 kr 78.876,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:  
Märke: STMicroelectronics
Förpackning: Reel
Förpackning: Cut Tape
Produkttyp: SiC MOSFETS
Fabriksförpackningskvantitet: 600
Underkategori: Transistors
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance RDS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.