Microchip SiC-MOSFET:ar

Resultat: 119
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge
Microchip Technology SiC-MOSFET:ar MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-268 242På lager
Min.: 1
Multipla: 1

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 59 A 35 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 178 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFET:ar FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD 862På lager
270Förväntad 2026-03-27
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 77 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 283 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFET:ar MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247 44På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 149 A 19 mOhms - 10 V, + 25 V 1.9 V 215 nC - 55 C + 175 C 524 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFET:ar MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-247 58På lager
56Förväntad 2026-02-18
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 77 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 283 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFET:ar MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247 49På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 62 A 50 mOhms - 10 V, + 25 V 1.8 V 140 nC - 55 C + 175 C 311 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFET:ar MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247 140På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 39 A 69 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 56 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFET:ar MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4 55På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 39 A 75 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 56 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFET:ar MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-268 144På lager
Min.: 1
Multipla: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 700 V 37 A 69 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 56 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFET:ar MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 63På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 80 mOhms - 10 V, + 23 V 2.8 V 64 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFET:ar MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-268 63På lager
Min.: 1
Multipla: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 100 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 64 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFET:ar MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-247 162På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 28 A 111 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 38 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFET:ar MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm TO-268 88På lager
Min.: 1
Multipla: 1

SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1.2 kV 180 mOhms
Microchip Technology SiC-MOSFET:ar 1200V, 360mOhms N-Channel mSiC MOSFET 20På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1.2 kV 360 mOhms
Microchip Technology SiC-MOSFET:ar MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247 188På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 5 A 750 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 11 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFET:ar MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-268 45På lager
Min.: 1
Multipla: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 4.4 A 750 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 11 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFET:ar MOSFET SIC 3300V 80 mOhm TO-247-4L-Notch
230På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 3.3 kV 41 A 105 mOhms - 10 V, + 23 V 2.97 V 55 nC - 55 C + 150 C 381 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFET:ar MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-268 Ledtid 8 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 700 V 25 A 111 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 38 nC - 55 C + 175 C 91 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFET:ar MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm TO-247 Ledtid för icke lagerfört 8 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1.2 kV 180 mOhms
Microchip Technology SiC-MOSFET:ar MOSFET SIC 1200 V 360 mOhm TO-268 Ledtid för icke lagerfört 8 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1.2 kV 360 mOhms
Microchip Technology SiC-MOSFET:ar MOSFET SIC 700 V 90 mOhm PSMT Ledtid för icke lagerfört 9 Veckor
Min.: 200
Multipla: 200
Papprulle: 100

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 700 V 32 A 112 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFET:ar MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm PSMT Ledtid för icke lagerfört 5 Veckor
Min.: 100
Multipla: 100
Papprulle: 100

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 225 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 36 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFET:ar MOSFET SIC 1200 V 360 mOhm PSMT Ledtid för icke lagerfört 9 Veckor
Min.: 200
Multipla: 200
Papprulle: 100

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 11 A 450 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 21 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFET:ar MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-263-7L-XL Ledtid för icke lagerfört 9 Veckor
Min.: 200
Multipla: 200
Papprulle: 100

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6 A 940 mOhms - 10 V , + 23 V 3.25 V 11 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFET:ar MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-268, TAPE & REEL Ledtid för icke lagerfört 4 Veckor
Min.: 400
Multipla: 400
Papprulle: 400

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 40 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 137 nC - 55 C + 175 C 303 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFET:ar MOSFET SIC 700 V 60 mOhm PSMT Ledtid för icke lagerfört 4 Veckor
Min.: 1 300
Multipla: 1 300
Papprulle: 1 300

SMD/SMT PSMT-16 N-Channel 1 Channel 700 V 48 A 75 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 56 nC - 55 C + 175 C 215 W Enhancement