Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

MSC035SMA070B4

Name: Microchip MSC035SMA070B4
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC035SMA070B4
Price: 80.98 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

494-MSC035SMA070B4

Tillverk: Nr.:

MSC035SMA070B4

Tillverk:

Microchip Technology

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD

Visa i väljare för utvecklingsverktyg

Datablad:

MSC035SMA070B4 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Microchip Technology MSC035SMA070B4

På lager: 982

Lager:: 982 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 8 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	80,98 kr	80,98 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Microchip
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	700 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	77 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	44 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.9 V
Qg - Gate-laddning:	99 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	283 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	Microchip Technology
Konfiguration:	Single
Falltid:	52 ns
Förpackning:	Tube
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	9 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	40 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	10 ns
Enhetens vikt:	6 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

MSC035SMA070B4 Datablad (PDF)

DTS

Visa i väljare för utvecklingsverktyg

PCN

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Filippinerna
Monteringsland:: USA
Distributionsland:: USA

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.