Resultat: 41
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Handelsnamn
Förpackning
IXYS MOSFET:er TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
Datablad
395På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET:er TO263 150V 4A N-CH HIVOLT
Datablad
193På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET:er 6 Amps 1200V 2.700 Rds
Datablad
274På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.6 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET:er High Voltage Power MOSFET
Datablad
259På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET:er High Voltage Power MOSFET
Datablad
215På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET:er 3 Amps 1200V 4.500 Rds
Datablad
1På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET:er TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT
Datablad
280På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 12 A 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET:er 1
Datablad
158På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 120 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er High Voltage Power MOSFET
Datablad
1 748På lager
550Förväntad 2027-01-25
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET:er 3 Amps 1200V 4.5 Rds
Datablad
928På lager
1 100Förväntad 2026-08-17
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET:er MOSFET Id3 BVdass1200
Datablad
845På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET:er TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT
Datablad
74På lager
300Förväntad 2026-08-17
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 7.3 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 38.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET:er High Voltage Power MOSFET
Datablad
55På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 7.3 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 38.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET:er 6 Amps 1200V 2.700 Rds
Datablad
143På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.4 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET:er 0.75 Amps 1000V 15 Rds
Datablad
550På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET:er 0.5 Amps 1000V
Datablad
300På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 700 mA 15 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET:er 1500V High Voltage Power MOSFET
Datablad
5På lager
300Förväntad 2027-04-19
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET:er 1500 V High Voltage Power MOSFET
Datablad
47På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 20 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 215 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement Tube
IXYS MOSFET:er 0.1 Amps 1000V 80 Rds
Datablad
320På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 100 mA 80 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET:er >1200V High Voltage Power MOSFET
Datablad
300Förväntad 2026-05-04
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 12 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET:er 0.75 Amps 1000V 15 Rds
Datablad
800Tillgänglig mängd i lager
Mer info finns
Min.: 300
Multipla: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET:er HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 32 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET:er High Voltage Power MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 65 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 3.85 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET:er 1200V High Voltage Power MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 49 Veckor
Min.: 300
Multipla: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1.5 kV 20 A 1 Ohms Tube
IXYS MOSFET:er 2 Amps 800V 6.2 Rds
Datablad
Ej på lager
Min.: 50
Multipla: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 6.2 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube