IXTH4N150

IXYS
747-IXTH4N150
IXTH4N150

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er High Voltage Power MOSFET

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 215

Lager:
215 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
49 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
115,54 kr 115,54 kr
86,07 kr 860,70 kr
63,07 kr 7 568,40 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
IXYS
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.5 kV
4 A
6 Ohms
- 30 V, 30 V
2.5 V
44.5 nC
- 55 C
+ 150 C
280 W
Enhancement
Tube
Märke: IXYS
Konfiguration: Single
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: PH
Produkttyp: MOSFETs
Serie: IXTH4N150
Fabriksförpackningskvantitet: 30
Underkategori: Transistors
Enhetens vikt: 6 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541900000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541900000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8542900006
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99