IXTP3N120

IXYS
747-IXTP3N120
IXTP3N120

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er MOSFET Id3 BVdass1200

Datablad:
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.
Mer information
Lär dig mer om IXYS IXTP3N120

På lager: 804

Lager:
804 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
32 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
93,49 kr 93,49 kr
58,94 kr 589,40 kr
53,42 kr 5 342,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
IXYS
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
3 A
4.5 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
200 W
Enhancement
Tube
Märke: IXYS
Konfiguration: Single
Falltid: 18 ns
Transkonduktans framåt - Min: 1.5 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 15 ns
Serie: IXTP3N120
Fabriksförpackningskvantitet: 50
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 32 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 17 ns
Enhetens vikt: 2 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Datablad

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541500000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Korea
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

Ett oväntat fel har inträffat.


Har du en fråga? Besök hjälpcentret.
Om du har frågor som rör en specifik beställning kan du logga in på ditt konto.

Om du stöter på ytterligare problem kan du kontakta oss på 800-346-6873 eller skicka ett meddelande via e-post till help@mouser.com.