.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultat: 9

Tillämpade filter:

Val av bildflik Tillverkare = STMicroelectronics

Monteringsstil

Paket/låda

Transistorns polaritet

Antal kanaler

Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning

Id - Kontinuerlig dräneringsström

Rds på - Dräneringskällans resistans

Vgs - Gate-källans spänning

Vgs th - Gate-källans tröskelspänning

Qg - Gate-laddning

Minsta drifttemperatur

Maximal drifttemperatur

Pd - Effektavledning

Kanalläge

Kvalificering

Återställ alla

Sök inom resultat

På lager

Finns normalt i lager

Aktiv

Nya produkter

Överensstämmer med RoHS-direktiv

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Artikelnummer

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: 194,57 kr
640På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT012W90G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT012W90G3-4AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

640På lager

194,57 kr

165,79 kr

143,44 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: 169,17 kr
502På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT025W120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT025W120G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

Läs mer

Datablad

502På lager

169,17 kr

135,49 kr

117,07 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 227,16 kr
600Förväntad 2026-10-26

Tillverk: Artikelnummer
SCT015W120G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

600Förväntad 2026-10-26

227,16 kr

185,85 kr

164,15 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
1: 106,71 kr
100På beställningen
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT040W120G3-4

Mouser artikelnummer
511-SCT040W120G3-4

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

100På beställningen

106,71 kr

86,87 kr

72,38 kr

64,53 kr

54,83 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package

SCT019W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 173,86 kr
Ledtid för icke lagerfört 17 Veckor
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT019W120G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT019W120G3-4AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package

Datablad

Ledtid för icke lagerfört 17 Veckor

173,86 kr

139,19 kr

120,34 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

90 A

26 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

120 nC

- 55 C

+ 200 C

486 W

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4
STMicroelectronics
600: 109,98 kr
Ledtid för icke lagerfört 17 Veckor
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT025W120G3-4

Mouser artikelnummer
511-SCT025W120G3-4

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

Datablad

Ledtid för icke lagerfört 17 Veckor

109,98 kr

Min.: 600
Multipla: 600

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT070W120G3-4
STMicroelectronics
1: 102,46 kr
Ledtid för icke lagerfört 17 Veckor
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT070W120G3-4

Mouser artikelnummer
511-SCT070W120G3-4

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

Ledtid för icke lagerfört 17 Veckor

102,46 kr

61,26 kr

52,10 kr

50,58 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

41 nC

- 55 C

+ 200 C

236 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A

SCT070W120G3AG
STMicroelectronics
1: 113,80 kr
Ledtid för icke lagerfört 17 Veckor
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT070W120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT070W120G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A

Läs mer

Datablad

Ledtid för icke lagerfört 17 Veckor

113,80 kr

92,65 kr

77,28 kr

68,78 kr

58,53 kr

Min.: 1
Multipla: 1

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package

SCTWA40N120G2V
STMicroelectronics
1: 169,06 kr
Ledtid för icke lagerfört 32 Veckor
NRND

Tillverk: Artikelnummer
SCTWA40N120G2V

Mouser artikelnummer
511-SCTWA40N120G2V

NRND

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package

Läs mer

Datablad

Ledtid för icke lagerfört 32 Veckor

169,06 kr

128,84 kr

108,24 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

2.45 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar

Kundtjänstkontor

Företag

Resurser

Support