SCT025W120G3AG

Name: STMicroelectronics SCT025W120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT025W120G3AG
Price: 172.78 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-SCT025W120G3AG

Tillverk: Nr.:

SCT025W120G3AG

Tillverk:

STMicroelectronics

Datablad:

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lager:: 433 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 21 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	HiP247-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	56 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	37 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Qg - Gate-laddning:	73 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 200 C
Pd - Effektavledning:	388 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	CN
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	IT
Falltid:	18.4 ns
Förpackning:	Tube
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	6.5 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	600
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	29.5 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	14.4 ns