HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Resultat: 720
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Kvalificering
Handelsnamn
Förpackning
IXYS MOSFET:er 40V/440A TrenchT4 Power MOSFET
Datablad
Ej på lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 40 V 440 A 1.25 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 480 nC - 55 C + 175 C 940 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er N-Channel Trench Gate TrenchT2 MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 25 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 55 V 440 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 405 nC - 55 C + 175 C 1 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er Trench T2 Power MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 25 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 40 V 500 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 405 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-251D
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 41 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 2 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 41 Veckor
Min.: 350
Multipla: 70

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-247AD
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 41 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 23 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 55 V 55 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 595 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 28 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 40 V 600 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 590 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-252D
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 41 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 2 A 2.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 55 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 44 Veckor
Min.: 300
Multipla: 20
Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 500 V 63 A 43 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er SMPD MOSFET:er Power Device
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 25 Veckor
Min.: 300
Multipla: 20

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 1 Channel 300 V 102 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 376 nC - 55 C + 150 C 570 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er SMPD MOSFET:er Power Device
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 25 Veckor
Min.: 300
Multipla: 20

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 1 Channel 250 V 130 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 364 nC - 55 C + 150 C 570 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er SMPD MOSFET:er Power Device
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 25 Veckor
Min.: 300
Multipla: 20

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 200 V 156 A 8.3 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er SMPD MOSFET:er Power Device
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 25 Veckor
Min.: 300
Multipla: 20

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 150 V 235 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 715 nC - 55 C + 175 C 680 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er SMPD MOSFET:er Power Device
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 46 Veckor
Min.: 300
Multipla: 20

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 1.1 kV 24 A 290 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er SMPD MOSFET:er Power Device
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 24 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 1 Channel 100 V 334 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 670 nC - 55 C + 175 C 680 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er HiperFET Pwr MOSFET Q3-Class
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 46 Veckor
Min.: 300
Multipla: 20

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 1 kV 30 A 245 mOhms - 30 V, 30 V 264 nC - 55 C + 150 C HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er SMPD MOSFET:er Power Device
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 25 Veckor
Min.: 300
Multipla: 20

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 1 Channel 55 V 550 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 595 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 40V 600A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 25 Veckor
Min.: 300
Multipla: 20

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 1 Channel 40 V 600 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 590 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 650v/32A Power MOSFET
Datablad
N/A

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 135 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube