Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

Resultat: 48
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Handelsnamn
Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLL 345På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

SMD/SMT TOLL-10 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms 4.8 V 24.5 nC - 55C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLT 1 024På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L 1 283På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 100mohm GaN FET in TO220 720På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 3.65 V 14.4 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L 560På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN 2 662På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 3 000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN 2 446På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TO220 958På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TOLT 1 669På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN 3 769På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 4 000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 10 V, + 10 V 2.8 V 5 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN 1 475På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 4 000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 18 V, + 18 V 2.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT
1 254Förväntad 2026-09-18
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 500

SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 150mohm GaN FET in TO220
1 828Förväntad 2026-07-07
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 180 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP Ledtid för icke lagerfört 14 Veckor
Min.: 5 000
Multipla: 5 000
: 5 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 15.8 A 169 mOhms 20 V 2.5 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP Ledtid för icke lagerfört 14 Veckor
Min.: 3 000
Multipla: 3 000
: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 14.6 A 169 mOhms 20 V 2.5 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 59.5 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 1 200
Multipla: 1 200

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46.5 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 3.6 V 42.7 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TOLL Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
Min.: 2 000
Multipla: 2 000
: 2 000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
Min.: 3 000
Multipla: 3 000
: 3 000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
Min.: 3 000
Multipla: 3 000
: 3 000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TOLL Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
Min.: 2 000
Multipla: 2 000
: 2 000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN Ledtid för icke lagerfört 14 Veckor
Min.: 3 000
Multipla: 3 000
: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 4.1 V 14.4 nC - 55 C + 150 C Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP Ledtid för icke lagerfört 14 Veckor
Min.: 3 000
Multipla: 3 000
: 3 000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 700 V 16 A 163 mOhms 20 V 4.8 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 130mohm GaN FET in TO-220 Ledtid för icke lagerfört 14 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 16 A 163 mOhms 20 V 4.8 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN Ledtid för icke lagerfört 14 Veckor
Min.: 3 000
Multipla: 3 000
: 3 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN Ledtid för icke lagerfört 14 Veckor
Min.: 3 000
Multipla: 3 000
: 3 000

700 V SuperGaN