Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

Resultat: 30
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Handelsnamn
Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
Datablad
351På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 000

SMD/SMT TOLL-10 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms 4.8 V 24.5 nC - 55C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
Datablad
1 428På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
Datablad
798På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 100mohm GaN FET in TO220
Datablad
850På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 3.65 V 14.4 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L
Datablad
611På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datablad
2 674På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 3 000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datablad
2 518På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TO220
Datablad
1 226På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TOLT
Datablad
1 696På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Datablad
3 773På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 4 000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 10 V, + 10 V 2.8 V 5 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 150mohm GaN FET in TO220
Datablad
856På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 180 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Datablad
1 685På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 4 000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 18 V, + 18 V 2.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 1 200
Multipla: 1 200

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46.5 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 3.6 V 42.7 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TOLL
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
Min.: 2 000
Multipla: 2 000
Papprulle: 2 000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
Min.: 3 000
Multipla: 3 000
Papprulle: 3 000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
Min.: 3 000
Multipla: 3 000
Papprulle: 3 000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TOLL
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
Min.: 2 000
Multipla: 2 000
Papprulle: 2 000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 14 Veckor
Min.: 3 000
Multipla: 3 000
Papprulle: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 4.1 V 14.4 nC - 55 C + 150 C Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 14 Veckor
Min.: 3 000
Multipla: 3 000
Papprulle: 3 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 14 Veckor
Min.: 3 000
Multipla: 3 000
Papprulle: 3 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 14 Veckor
Min.: 5 000
Multipla: 5 000
Papprulle: 5 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 14 Veckor
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 3 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 14 Veckor
Min.: 5 000
Multipla: 5 000
Papprulle: 5 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 14 Veckor
Min.: 5 000
Multipla: 5 000
Papprulle: 5 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 14 Veckor
Min.: 3 000
Multipla: 3 000
Papprulle: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 14.2 A 180 mOhms 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement SuperGaN