Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

TP65H030G4PWS

Name: Renesas Electronics TP65H030G4PWS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H030G4PWS
Price: 93.07 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

227-TP65H030G4PWS

Tillverk: Nr.:

TP65H030G4PWS

Tillverk:

Renesas Electronics

Beskrivning:

GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

TP65H030G4PWS Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Renesas Electronics TP65H030G4PWS

På lager: 1 303

Lager:: 1 303 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	93,07 kr	93,07 kr
	58,83 kr	588,30 kr
	49,82 kr	4 982,00 kr
	44,52 kr	22 260,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Renesas Electronics
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	55.7 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	41 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.8 V
Qg - Gate-laddning:	24.5 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	192 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	SuperGaN
Märke:	Renesas Electronics
Konfiguration:	Single
Falltid:	8 ns
Förpackning:	Tube
Produkt:	FETs
Produkttyp:	GaN FETs
Stigtid:	6.8 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Fabriksförpackningskvantitet:	960
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN
Transistortyp:	1 N-Channel
Typ:	GaN FET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	89.2 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	40.8 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

TP65H030G4PWS Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Kina
Monteringsland:: Kina
Distributionsland:: Japan

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FETs

Renesas Electronics TP65H030G4Px 650V 30mΩ Gallium Nitride (GaN) FETs are available in TOLT, TO247, and TOLL packages. These GaN FETs use the Gen IV Plus SuperGaN^® platform, which combines a state-of-the-art high-voltage GaN HEMT with a low-voltage silicon MOSFET to offer superior performance, standard drive, ease of adoption, and reliability.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.