SiC-MOSFET:ar – Mouser Sverige

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Effekt-MOSFET av kiselkarbid för fordon

STMicroelectronics effekt-MOSFET:er av kiselkarbid för fordon har utvecklats med ST:s avancerade och innovativa 2:a/3:e generationens SiC MOSFET-teknik. Enheterna har låg resistans per enhetsområde och mycket bra switching -prestanda. MOSFET-enheterna klarar mycket hög drifttemperatur (TJ = 200°C) och en mycket snabb och robust egen stomdiod.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultat: 20

Tillämpade filter:

Monteringsstil

Paket/låda

Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning

Id - Kontinuerlig dräneringsström

Rds på - Dräneringskällans resistans

Vgs - Gate-källans spänning

Vgs th - Gate-källans tröskelspänning

Qg - Gate-laddning

Maximal drifttemperatur

Pd - Effektavledning

Återställ alla

Sök inom resultat

På lager

Finns normalt i lager

Aktiv

Nya produkter

Överensstämmer med RoHS-direktiv

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Artikelnummer

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

SCTW40N120G2VAG
STMicroelectronics
1: 156,77 kr
549På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCTW40N120G2VAG

Mouser artikelnummer
511-SCTW40N120G2VAG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

Läs mer

Datablad

549På lager

156,77 kr

97,31 kr

97,10 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.9 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: 189,10 kr
635På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT012W90G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT012W90G3-4AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

635På lager

189,10 kr

123,38 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

SCT016H120G3AG
STMicroelectronics
1: 212,53 kr
745På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT016H120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT016H120G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

745På lager

Klipp band

212,53 kr

153,81 kr

153,49 kr

153,38 kr

Papprulle

143,31 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

112 A

22 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 186,98 kr
418På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT020HU120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT020HU120G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

Läs mer

Datablad

418På lager

Klipp band

186,98 kr

154,97 kr

133,98 kr

Papprulle

124,44 kr

Beräkning

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

555 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

SCT040HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 123,17 kr
607På lager
600Förväntad 2026-08-10
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT040HU120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT040HU120G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

Läs mer

Datablad

607På lager

600Förväntad 2026-08-10

Klipp band

123,17 kr

86,28 kr

76,00 kr

Papprulle

74,52 kr

71,02 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

SCT012H90G3AG
STMicroelectronics
1: 187,41 kr
106På lager
1 000Förväntad 2026-08-17

Tillverk: Artikelnummer
SCT012H90G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT012H90G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

106På lager

1 000Förväntad 2026-08-17

Klipp band

187,41 kr

134,51 kr

130,70 kr

Papprulle

122,01 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

12 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 172,25 kr
448På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT020W120G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT020W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

448På lager

172,25 kr

109,60 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

Hip247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 200 C

541 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 187,30 kr
533På lager
1 200Förväntad 2026-09-14

Tillverk: Artikelnummer
SCT025W120G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

533På lager

1 200Förväntad 2026-09-14

187,30 kr

117,87 kr

106,95 kr

101,44 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: 164,72 kr
459På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT025W120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT025W120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

Läs mer

Datablad

459På lager

164,72 kr

120,52 kr

105,79 kr

100,81 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
1: 118,93 kr
584På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT040W120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT040W120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

Läs mer

Datablad

584På lager

118,93 kr

83,10 kr

67,84 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

SCT040HU65G3AG
STMicroelectronics
1: 115,96 kr
133På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT040HU65G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT040HU65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

Läs mer

Datablad

133På lager

Klipp band

115,96 kr

81,09 kr

70,49 kr

Papprulle

65,83 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

: 600

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

40 mOhms

- 30 V, + 30 V

5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package

SCTWA40N12G24AG
STMicroelectronics
1: 160,06 kr
90På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCTWA40N12G24AG

Mouser artikelnummer
511-SCTWA40N12G24AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

90På lager

160,06 kr

113,74 kr

99,64 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

33 A

105 mOhms

- 18 V, + 18 V

5 V

63 nC

- 55 C

+ 200 C

290 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

SCT011HU75G3AG
STMicroelectronics
1: 228,01 kr
4På lager
1 200På beställningen
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT011HU75G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT011HU75G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

Läs mer

Datablad

4På lager

1 200På beställningen

Klipp band

228,01 kr

167,59 kr

167,48 kr

Papprulle

156,46 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

110 A

15 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.2 V

154 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3AG
STMicroelectronics
1: 156,46 kr
1 997Förväntad 2026-10-12
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT025H120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT025H120G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

1 997Förväntad 2026-10-12

Klipp band

156,46 kr

110,66 kr

103,67 kr

103,56 kr

Papprulle

96,67 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 219,53 kr
600Förväntad 2026-07-20

Tillverk: Artikelnummer
SCT015W120G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

600Förväntad 2026-07-20

219,53 kr

149,14 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
1: 116,18 kr
996Förväntad 2026-07-21

Tillverk: Artikelnummer
SCT040H120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT040H120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

996Förväntad 2026-07-21

Klipp band

116,18 kr

81,09 kr

70,49 kr

Papprulle

65,83 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055HU65G3AG
STMicroelectronics
1: 115,12 kr
1 113Förväntad 2026-05-08

Tillverk: Artikelnummer
SCT055HU65G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT055HU65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Läs mer

Datablad

1 113Förväntad 2026-05-08

Klipp band

115,12 kr

80,45 kr

69,75 kr

Papprulle

65,08 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

185 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

SCT070HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 124,02 kr
1 200Förväntad 2026-07-02

Tillverk: Artikelnummer
SCT070HU120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT070HU120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

Läs mer

Datablad

1 200Förväntad 2026-07-02

Klipp band

124,02 kr

84,91 kr

76,00 kr

Papprulle

71,97 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3-7
STMicroelectronics
1: 153,06 kr
100Förväntad 2026-04-24
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT025H120G3-7

Mouser artikelnummer
511-SCT025H120G3-7

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

100Förväntad 2026-04-24

Klipp band

153,06 kr

118,40 kr

102,50 kr

102,40 kr

Papprulle

90,52 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
1: 106,32 kr
100På beställningen
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT040W120G3-4

Mouser artikelnummer
511-SCT040W120G3-4

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

100På beställningen

106,32 kr

63,60 kr

58,62 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

Effekt-MOSFET av kiselkarbid för fordon

Kundtjänstkontor

Företag

Resurser

Support