SiC-MOSFET:ar – Mouser Sverige

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Effekt-MOSFET av kiselkarbid för fordon

STMicroelectronics effekt-MOSFET:er av kiselkarbid för fordon har utvecklats med ST:s avancerade och innovativa 2:a/3:e generationens SiC MOSFET-teknik. Enheterna har låg resistans per enhetsområde och mycket bra switching -prestanda. MOSFET-enheterna klarar mycket hög drifttemperatur (TJ = 200°C) och en mycket snabb och robust egen stomdiod.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultat: 18

Tillämpade filter:

Monteringsstil

Paket/låda

Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning

Id - Kontinuerlig dräneringsström

Rds på - Dräneringskällans resistans

Vgs - Gate-källans spänning

Vgs th - Gate-källans tröskelspänning

Qg - Gate-laddning

Maximal drifttemperatur

Pd - Effektavledning

Återställ alla

Sök inom resultat

På lager

Finns normalt i lager

Aktiv

Nya produkter

Överensstämmer med RoHS-direktiv

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Artikelnummer

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 207,44 kr
58På lager
1 200På beställningen
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT020HU120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT020HU120G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

Läs mer

Datablad

58På lager

1 200På beställningen

Klipp band

207,44 kr

154,97 kr

133,98 kr

Papprulle

118,51 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

555 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: 202,35 kr
632På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT012W90G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT012W90G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

632På lager

202,35 kr

127,52 kr

112,36 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 243,59 kr
596På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT015W120G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

596På lager

243,59 kr

195,04 kr

168,65 kr

159,64 kr

Beräkning

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 184,44 kr
347På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT020W120G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT020W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

347På lager

184,44 kr

115,33 kr

109,71 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

Hip247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 200 C

541 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: 172,78 kr
364På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT025W120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT025W120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

Läs mer

Datablad

364På lager

172,78 kr

107,48 kr

100,81 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
1: 126,67 kr
484På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT040W120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT040W120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

Läs mer

Datablad

484På lager

126,67 kr

88,93 kr

68,79 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

SCT012H90G3AG
STMicroelectronics
1: 200,66 kr
11På lager
1 000Förväntad 2027-05-21

Tillverk: Artikelnummer
SCT012H90G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT012H90G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

11På lager

1 000Förväntad 2027-05-21

Klipp band

200,66 kr

143,95 kr

130,70 kr

130,59 kr

Papprulle

123,70 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

12 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 192,39 kr
77På lager
1 200Förväntad 2027-02-05

Tillverk: Artikelnummer
SCT025W120G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

77På lager

1 200Förväntad 2027-02-05

192,39 kr

132,71 kr

121,16 kr

111,41 kr

Beräkning

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

SCT040HU65G3AG
STMicroelectronics
1: 124,23 kr
48På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT040HU65G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT040HU65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

Läs mer

Datablad

48På lager

Klipp band

124,23 kr

86,71 kr

70,49 kr

Papprulle

66,67 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

: 600

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

40 mOhms

- 30 V, + 30 V

5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

SCT016H120G3AG
STMicroelectronics
1: 227,58 kr
6På lager
1 000Förväntad 2027-05-07
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT016H120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT016H120G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

6På lager

1 000Förväntad 2027-05-07

Klipp band

227,58 kr

164,51 kr

162,07 kr

156,56 kr

Papprulle

143,42 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

112 A

22 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

SCTW40N120G2VAG
STMicroelectronics
1: 190,06 kr
5På lager
600Förväntad 2027-01-29

Tillverk: Artikelnummer
SCTW40N120G2VAG

Mouser artikelnummer
511-SCTW40N120G2VAG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

Läs mer

Datablad

5På lager

600Förväntad 2027-01-29

190,06 kr

104,09 kr

90,21 kr

88,30 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.9 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

SCT011HU75G3AG
STMicroelectronics
1: 255,57 kr
1 197På beställningen
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT011HU75G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT011HU75G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

Läs mer

Datablad

1 197På beställningen

Klipp band

255,57 kr

177,13 kr

167,69 kr

Papprulle

156,46 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

110 A

15 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.2 V

154 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3AG
STMicroelectronics
1: 164,72 kr
1 997Förväntad 2027-02-12

Tillverk: Artikelnummer
SCT025H120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT025H120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

1 997Förväntad 2027-02-12

Klipp band

164,72 kr

118,83 kr

103,67 kr

99,43 kr

Papprulle

88,09 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
1: 124,23 kr
996Förväntad 2026-09-07

Tillverk: Artikelnummer
SCT040H120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT040H120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

996Förväntad 2026-09-07

Klipp band

124,23 kr

86,71 kr

70,49 kr

Papprulle

66,67 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

SCT040HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 131,76 kr
1 200Förväntad 2027-02-05
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT040HU120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT040HU120G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

Läs mer

Datablad

1 200Förväntad 2027-02-05

Klipp band

131,76 kr

92,22 kr

81,20 kr

Papprulle

71,97 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055HU65G3AG
STMicroelectronics
1: 123,38 kr
1 800På beställningen

Tillverk: Artikelnummer
SCT055HU65G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT055HU65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Läs mer

Datablad

1 800På beställningen

Klipp band

123,38 kr

94,02 kr

78,33 kr

Papprulle

68,37 kr

66,04 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

185 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

SCT070HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 131,86 kr
1 199Förväntad 2026-09-28

Tillverk: Artikelnummer
SCT070HU120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT070HU120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

Läs mer

Datablad

1 199Förväntad 2026-09-28

Klipp band

131,86 kr

93,28 kr

77,17 kr

Papprulle

72,93 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
1: 117,66 kr
100På beställningen

Tillverk: Artikelnummer
SCT040W120G3-4

Mouser artikelnummer
511-SCT040W120G3-4

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

100På beställningen

117,66 kr

78,97 kr

69,32 kr

59,47 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

Effekt-MOSFET av kiselkarbid för fordon

Kundtjänstkontor

Företag

Resurser

Support