SiC-MOSFET:ar – Mouser Sverige

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Effekt-MOSFET av kiselkarbid för fordon

STMicroelectronics effekt-MOSFET:er av kiselkarbid för fordon har utvecklats med ST:s avancerade och innovativa 2:a/3:e generationens SiC MOSFET-teknik. Enheterna har låg resistans per enhetsområde och mycket bra switching -prestanda. MOSFET-enheterna klarar mycket hög drifttemperatur (TJ = 200°C) och en mycket snabb och robust egen stomdiod.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultat: 18

Tillämpade filter:

Monteringsstil

Paket/låda

Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning

Id - Kontinuerlig dräneringsström

Rds på - Dräneringskällans resistans

Vgs - Gate-källans spänning

Vgs th - Gate-källans tröskelspänning

Qg - Gate-laddning

Maximal drifttemperatur

Pd - Effektavledning

Återställ alla

Sök inom resultat

På lager

Finns normalt i lager

Aktiv

Nya produkter

Överensstämmer med RoHS-direktiv

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Artikelnummer

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: 209,80 kr
610På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT012W90G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT012W90G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

610På lager

209,80 kr

129,68 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-3

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 243,54 kr
528På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT015W120G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

528På lager

243,54 kr

156,83 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 191,23 kr
256På lager
600Förväntad 2027-07-23

Tillverk: Artikelnummer
SCT020W120G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT020W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

256På lager

600Förväntad 2027-07-23

191,23 kr

115,07 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

Hip247-4

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 200 C

541 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: 179,14 kr
223På lager
600Förväntad 2027-03-12

Tillverk: Artikelnummer
SCT025W120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT025W120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

Läs mer

Datablad

223På lager

600Förväntad 2027-03-12

179,14 kr

111,44 kr

104,51 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-3

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
1: 128,80 kr
990På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT040H120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT040H120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

990På lager

Klipp band

128,80 kr

73,30 kr

73,08 kr

Papprulle

69,13 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 199,47 kr
13På lager
1 200På beställningen

Tillverk: Artikelnummer
SCT025W120G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

13På lager

1 200På beställningen

199,47 kr

137,59 kr

125,62 kr

115,50 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 215,07 kr
58På lager
1 200Förväntad 2027-02-19
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT020HU120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT020HU120G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

Läs mer

Datablad

58På lager

1 200Förväntad 2027-02-19

Klipp band

215,07 kr

147,71 kr

135,73 kr

Papprulle

122,87 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

555 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
1: 131,33 kr
17På lager
600Förväntad 2027-05-14

Tillverk: Artikelnummer
SCT040W120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT040W120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

Läs mer

Datablad

17På lager

600Förväntad 2027-05-14

131,33 kr

92,21 kr

70,45 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-3

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

SCTW40N120G2VAG
STMicroelectronics
1: 190,68 kr
5På lager
600Förväntad 2027-02-12

Tillverk: Artikelnummer
SCTW40N120G2VAG

Mouser artikelnummer
511-SCTW40N120G2VAG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

Läs mer

Datablad

5På lager

600Förväntad 2027-02-12

190,68 kr

102,10 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-3

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.9 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

SCT011HU75G3AG
STMicroelectronics
1: 259,58 kr
1 200Förväntad 2027-03-12
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT011HU75G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT011HU75G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

Läs mer

Datablad

1 200Förväntad 2027-03-12

Klipp band

259,58 kr

199,47 kr

179,14 kr

Papprulle

162,21 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

1 Channel

750 V

110 A

15 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.2 V

154 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

SCT016H120G3AG
STMicroelectronics
1: 235,96 kr
1 985På beställningen
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT016H120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT016H120G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

1 985På beställningen

Klipp band

235,96 kr

159,03 kr

Papprulle

150,67 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

1.2 kV

112 A

22 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3AG
STMicroelectronics
1: 173,53 kr
1 997Förväntad 2027-02-26

Tillverk: Artikelnummer
SCT025H120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT025H120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

1 997Förväntad 2027-02-26

Klipp band

173,53 kr

107,48 kr

106,38 kr

Papprulle

101,66 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

SCT012H90G3AG
STMicroelectronics
1: 220,46 kr
998Förväntad 2027-01-29

Tillverk: Artikelnummer
SCT012H90G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT012H90G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

998Förväntad 2027-01-29

Klipp band

220,46 kr

143,64 kr

143,09 kr

134,85 kr

Papprulle

128,25 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

900 V

110 A

12 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

SCT040HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 139,46 kr
1 200Förväntad 2027-03-12
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT040HU120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT040HU120G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

Läs mer

Datablad

1 200Förväntad 2027-03-12

Klipp band

139,46 kr

96,16 kr

86,27 kr

Papprulle

74,62 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

1 Channel

1.2 kV

40 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

SCT040HU65G3AG
STMicroelectronics
1: 129,13 kr
592På beställningen

Tillverk: Artikelnummer
SCT040HU65G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT040HU65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

Läs mer

Datablad

592På beställningen

Klipp band

129,13 kr

98,36 kr

81,99 kr

Papprulle

73,08 kr

69,13 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

: 600

SMD/SMT

H2PAK-2

1 Channel

650 V

7 A

40 mOhms

- 30 V, + 30 V

5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055HU65G3AG
STMicroelectronics
1: 127,92 kr
1 800Förväntad 2027-02-05

Tillverk: Artikelnummer
SCT055HU65G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT055HU65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Läs mer

Datablad

1 800Förväntad 2027-02-05

Klipp band

127,92 kr

97,48 kr

81,22 kr

Papprulle

72,31 kr

68,47 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

185 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

SCT070HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 138,47 kr
599Förväntad 2026-11-11

Tillverk: Artikelnummer
SCT070HU120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT070HU120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

Läs mer

Datablad

599Förväntad 2026-11-11

Klipp band

138,47 kr

95,17 kr

83,85 kr

Papprulle

75,61 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
1: 121,99 kr
100På beställningen

Tillverk: Artikelnummer
SCT040W120G3-4

Mouser artikelnummer
511-SCT040W120G3-4

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

100På beställningen

121,99 kr

81,88 kr

71,87 kr

61,65 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-4

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

Effekt-MOSFET av kiselkarbid för fordon

Kundtjänstkontor

Företag

Resurser

Support