Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

SCT011HU75G3AG

Name: STMicroelectronics SCT011HU75G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT011HU75G3AG
Price: 234.46 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-SCT011HU75G3AG

Tillverk: Nr.:

SCT011HU75G3AG

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

Komplettera din design

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

SCT011HU75G3AG Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics SCT011HU75G3AG

På lager: 274

Lager:: 274

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 600

Förväntad 2026-03-09
Fabrikens ledtid:: 18

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 600)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	234,46 kr	234,46 kr
	172,33 kr	1.723,30 kr
	172,22 kr	17.222,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 600)
	146,39 kr	87.834,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	HU3PAK-7
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	750 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	110 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	15 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.2 V
Qg - Gate-laddning:	154 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	652 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Falltid:	9 ns
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	11 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	600
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	42 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	23 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SCT011HU75G3AG Datablad (PDF)

PCN

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Effekt-MOSFET av kiselkarbid för fordon

STMicroelectronics effekt-MOSFET:er av kiselkarbid för fordon har utvecklats med ST:s avancerade och innovativa 2:a/3:e generationens SiC MOSFET-teknik. Enheterna har låg resistans per enhetsområde och mycket bra switching -prestanda. MOSFET-enheterna klarar mycket hög drifttemperatur (TJ = 200°C) och en mycket snabb och robust egen stomdiod.

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.