650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency. 

Resultat: 26
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Handelsnamn


Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
1 995På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 39 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
335På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 50 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
643På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 64 A 30 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
753På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 24 A 141 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 35 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
1 019På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 45 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
861På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 33 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
240På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
1 751På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
362På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
1 467På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 59 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
313På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
667På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 6 A 346 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
465På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 58 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 48 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
314På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 26 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
527På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 24 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 19 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
473På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
235På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 53 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 48 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
128På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 35 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement


Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
1 000På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 17 A 217 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 27 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 53 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 63 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 53 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 54 A 51 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 53 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 28 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 44 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 53 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 46 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 35 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 53 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 28 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC