UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs

onsemi UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs are high-performance devices that deliver Figures of Merit that lower conduction losses and increase efficiency at higher speeds, improving overall cost-effectiveness. Available in 5.4mΩ to 60mΩ options, the Gen 4 series is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. The standard gate-drive characteristics of the UJ4C/SC 750V FETs allow for "drop-in replacement" functionality. Designers can enhance system performance without changing gate drive voltage by replacing existing Si IGBTs, Si FETs, SiC FETs, or Si super-junction devices with the onsemi UJ4C/SC FETs.

Resultat: 29
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil Paket/låda Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Kvalificering Handelsnamn
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/6MOSICFETG4TO247-4 576På lager
519,39 kr
370,58 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 120 A 5.9 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/60MOSICFETG4TO247 1 258På lager
146,39 kr
87,26 kr
74,29 kr
68,36 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/11MOSICFETG4TO263-7 279På lager
Klipp band
279,59 kr
221,45 kr
206,50 kr
186,72 kr
Papprulle
186,72 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7L 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/18MOSICFETG4TO263-7 278På lager
Klipp band
231,23 kr
172,65 kr
149,35 kr
133,86 kr
Papprulle
133,86 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/60MOSICFETG4TO263 1 266På lager
Klipp band
74,40 kr
40,22 kr
39,78 kr
38,36 kr
Papprulle
38,36 kr
33,52 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/18MOSICFETG4TO247 657På lager
131,99 kr
75,83 kr
75,17 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/60MOSICFETG4TO247-4 562På lager
131,99 kr
93,52 kr
81,88 kr
69,02 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/33MOSICFETG4TO263 486På lager
Klipp band
143,75 kr
84,18 kr
79,68 kr
Papprulle
79,68 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/44MOSICFETG4TO263 648På lager
Klipp band
132,65 kr
75,94 kr
71,87 kr
Papprulle
71,87 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/5MOSICFETG4TOLL 1 719På lager
Klipp band
482,35 kr
389,38 kr
356,41 kr
Papprulle
356,41 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 120 A 5 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 1.153 kW Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/8MOSICFETG4TOLL 714På lager
Klipp band
320,25 kr
233,98 kr
223,32 kr
221,45 kr
Papprulle
221,45 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Max.: 2 000
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 106 A 8 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/18MOSICFETG4TOLL 2 497På lager
Klipp band
217,05 kr
140,78 kr
132,76 kr
125,73 kr
Papprulle
125,73 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/33MOSICFETG4TOLL 2 815På lager
Klipp band
148,91 kr
88,14 kr
83,41 kr
Papprulle
83,41 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 44 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/44MOSICFETG4TOLL 2 525På lager
Klipp band
131,77 kr
75,28 kr
71,22 kr
Papprulle
71,22 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 35.6 A 44 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/60MOSICFETG4TOLL 3 269På lager
Klipp band
108,80 kr
60,88 kr
58,58 kr
55,39 kr
Papprulle
55,39 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 27.8 A 58 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/23MOSICFETG4TOLL 1 266På lager
Klipp band
181,44 kr
129,24 kr
113,75 kr
106,27 kr
Papprulle
106,27 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 64 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/44MOSICFETG4TO247 6 713På lager
146,83 kr
83,96 kr
78,03 kr
77,59 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/23MOSICFETG4TO247 280På lager
600Förväntad 2026-12-18
116,60 kr
64,29 kr
60,66 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/23MOSICFETG4TO247 1 897På lager
121,33 kr
68,14 kr
66,38 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/33MOSICFETG4TO247 211På lager
147,71 kr
83,52 kr
82,64 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/33MOSICFETG4TO247 289På lager
160,89 kr
91,44 kr
85,94 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/44MOSICFETG4TO247 395På lager
115,29 kr
63,52 kr
59,79 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/9MOSICFETG4TO263-7 271På lager
Klipp band
316,62 kr
230,57 kr
218,37 kr
Papprulle
218,37 kr
Min.: 1
Multipla: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/11MOSICFETG4TO247-4 974På lager
187,16 kr
139,79 kr
120,89 kr
114,41 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/18MOSICFETG4TO247 58På lager
600Förväntad 2026-11-09
221,34 kr
136,94 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET