CoolSIC™ 650 V G2 MOSFET: ar

Infineon Technologies  CoolSiC™ 650 V G2 MOSFET:ar utnyttjar kiselkarbidens prestandakapaciteter genom att möjliggöra lägre energiförlust, vilket innebär högre effektivitet vid strömomvandling.  Infineon CoolSiC 650 V G2 MOSFET:ar ger fördelar för olika tillämpningar med effekthalvledare, som solceller, energilagring, DC EV-laddning, motordrivenheter och industriella strömförsörjningar. En snabbladdningsstation med likström för elfordon utrustade med CoolSiC G2 möjliggör upp till 10 % mindre effektförlust än tidigare generationer, samtidigt som den möjliggör högre laddningskapacitet utan att kompromissa med formfaktorer.

Resultat: 53
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Handelsnamn
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
1 900På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
Datablad
3 481På lager
240Förväntad 2027-06-10
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Datablad
256På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 158 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Datablad
738På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 68 A 33 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Datablad
280På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 58 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Datablad
416På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 34.9 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 18 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
788På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 28 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC + 175 C 124 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
901På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 94 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 499 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
489På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 97 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
Datablad
391På lager
3 600Förväntad 2026-11-05
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 800

SMD/SMT 1 Channel 650 V 82 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
Datablad
909På lager
1 800Förväntad 2027-03-11
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 800

SMD/SMT 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
814På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 800

SMD/SMT HDSOP-16 1 Channel 650 V 34.7 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
1 770På lager
2 000Förväntad 2027-07-22
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
2 858På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 41.4 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
701På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

TOLL-8 650 V 75 mOhms
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 750 V G2
Datablad
1 958På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 650 V 79 A 33 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 650 V G2
Datablad
1 658På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
2 084På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

SMD/SMT LHSOF-4 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
Datablad
221På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 130 A 13.1 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
Datablad
528På lager
240Förväntad 2026-09-16
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
486På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
10 334På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
682På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 210 A 8.5 mOhms - 18 V, + 18 V 5.6 V 439 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
9På lager
3 750På beställningen
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
10På lager
2 000Förväntad 2027-08-12
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 168 A 13.1 mOhms - 7V, + 23 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 681 W Enhancement CoolSiC