D1621XM4CDGVIW-U

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

524-D1621XM4CDGVIW-U

Tillverk: Nr.:

D1621XM4CDGVIW-U

Tillverk:

Kingston

Beskrivning:

DRAM 16Gb LPDDR4x 4266Mbps BGA 200b SDPx32 i-Temp

Livscykel:

Verifiera statusen med fabriken:

Informationen om livscykel är oklar. Erhåll ett anbud för att verifiera tillgängligheten för detta artikelnummer från tillverkaren.

Datablad:

D1621XM4CDGVIW-U Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Kingston D1621XM4CDGVIW-U

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Kingston
Produktkategori:	DRAM
RoHS-direktivet:
Typ:	SDRAM - LPDDR4X
Minnesstorlek:	16 Gb
Databussbredd:	16 bit
Maximal klockfrekvens:	2.133 GHz
Paket/låda:	BGA-200
Organisation:	1 G x 16
Minimal matningsspänning:	1.7 V
Maximal matningsspänning:	1.95 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 95 C
Förpackning:	Tray
Märke:	Kingston
Fuktkänsliga:	Yes
Monteringsstil:	SMD/SMT
Produkttyp:	DRAM
Fabriksförpackningskvantitet:	1
Underkategori:	Memory & Data Storage

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Filtrera dokument:

Datablad

D1621XM4CDGVIW-U Datablad (PDF)

Efterlevnadskoder

USHTS:: 8542320036
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Taiwan
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

LPDDR4x Low-Power DRAMs

Kingston LPDDR4x Low-Power DRAMs support data rates up to 4266 Mb/s and maintain backward compatibility with lower speeds such as 3733, 3200, and 2666. These devices offer 16Gb and 32Gb device densities with double-data-rate architecture. The LPDDR4x DRAMs feature per-bank refresh, Partial Array Self-Refresh (PASR), and Auto Temperature Compensated Self-Refresh (ATCSR) power-saving options. These devices include eight internal banks per channel for concurrent operation, Burst Lengths (BL), programmable Read Latency (RL), and Write Latency (WL). The LPDDR4x DRAMs operate with multiple low‑voltages and are available in a 200-ball FBGA package.