APC-E SiC-MOSFET:ar

Resultat: 21
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
APC-E SiC-MOSFET:ar 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Datablad
290På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFET:ar 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Datablad
270På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFET:ar 1200V 30mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Datablad
300På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 57 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFET:ar 650V 35mR, TO-247-4L, Automotive Grade 300På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4L 650 V
APC-E SiC-MOSFET:ar 1200V 30mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Datablad
300På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFET:ar 650V 27mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Datablad
300På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFET:ar 1200V 13mR, TO247-4L, Industrial Grade
Datablad
300På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 160 A 16 mOhms - 10 V, 25 V 3.6 V 213 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFET:ar 650V 27mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Datablad
300På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFET:ar 650V 35mR, TO-247-4L, Industrial Grade 300På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4L 650 V
APC-E SiC-MOSFET:ar 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Datablad
288På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFET:ar 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Datablad
262På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFET:ar 1200V 13mR, TO247-4L, Automotive Grade
Datablad
290På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 145 A 13 mOhms 18 V + 175 C
APC-E SiC-MOSFET:ar 1700V 1000mR, TO247-3L, Industrial Grade
Datablad
300På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 1.7 kV 6.8 A 1 kOhms 20 V + 175 C
APC-E SiC-MOSFET:ar 650V 27mR, SAPKG-9L, Automotive Grade
Datablad
600Förväntad 2026-07-31
Min.: 1
Multipla: 1
: 600

SMD/SMT SAPKG-9L N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 87 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFET:ar 1200V 20mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Datablad
300Förväntad 2026-07-31
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 88 A 26 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 154 nC - 55 C + 175 C 403 W Enhancement

APC-E SiC-MOSFET:ar 650V 65mR, TO-247-3L, Automotive Grade
300Förväntad 2026-07-31
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3L 650 V

APC-E SiC-MOSFET:ar 650V 65mR, TO-247-3L, Industrial Grade
300Förväntad 2026-07-31
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3L 650 V
APC-E SiC-MOSFET:ar 1200V 75mR, TO247-4L, Automotive Grade
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 15 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 41 A 75 mOhms 15 V + 175 C
APC-E SiC-MOSFET:ar 1200V 32mR, TO247-4L, Industrial Grade
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 15 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 77 A 32 mOhms 15 V + 175 C
APC-E SiC-MOSFET:ar 1200V 75mR, TO247-4L, Industrial Grade
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 15 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 35 A 75 mOhms 15 V + 175 C
APC-E AMR009V075H2
APC-E SiC-MOSFET:ar High Power SiC MOSFET Transistor
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 13 Veckor
Min.: 300
Multipla: 300