TGA2830 & TGA2975 GaN Power Amplifiers

Qorvo TGA2830 & TGA2975 GaN Power Amplifiers operate from 2.7GHz to 3.5GHz and are designed using Qorvo's 00.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) production process (QGaN25). The TGA2830 and TGA2975 can operate under both pulse and CW conditions and are ideally suited for commercial and defense related radar applications. Both RF ports on these devices have integrated DC blocking capacitors and are matched to 50Ω. 

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Manövreringsfrekvens
Förstärkning
Monteringsstil
Paket/låda
Teknologi
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Serie
Förpackning
Qorvo RF-förstärkare 2.7-3.5 GHz, 18 W GaN PA
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 15 Veckor
Min.: 500
Multipla: 500
: 500
2.7 GHz to 3.5 GHz 30.5 dB SMD/SMT QFN-24 GaN SiC - 40 C + 85 C TGA2830 Reel
Qorvo TGA2975-SMTR7
Qorvo RF-förstärkare 2.7-3.5 GHz, 12 W GaN PA
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 15 Veckor
Min.: 250
Multipla: 250
: 250

TGA2975 Reel