MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM

RAMXEED MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip features a configuration of 524,288 words x 8-bits. The devices utilize the ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies to form nonvolatile memory cells. The MB85RS4MLY employs a Serial Peripheral Interface (SPI) and is ideal for high-temperature environment applications.

Resultat: 4
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Minnesstorlek
Gränssnittstyp
Maximal klockfrekvens
Organisation
Paket/låda
Minimal matningsspänning
Maximal matningsspänning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Kvalificering
Förpackning

RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - SOP8 (208mil) T&R (125C)
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 22 Veckor
Min.: 500
Multipla: 500
Papprulle: 500

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 SOP-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C Reel

RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7 1.95V - DFN8 T&R (125?)
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 1 500
Multipla: 1 500
Papprulle: 1 500

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 DFN-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C Reel

RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - DFN8 T&R (AECQ100 125C)
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 22 Veckor
Min.: 1 500
Multipla: 1 500
Papprulle: 1 500

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 DFN-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C AEC-Q100 Reel
RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - SOP8 (208mil) tube (125C)
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 22 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 SOP-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C Tube