HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Resultat: 720
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Kvalificering
Handelsnamn
Förpackning

IXYS MOSFET:er Trench HiperFETs Power MOSFET:er
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 23 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 150 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 177 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-247AD
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 150 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 150 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 160 Amps 150V
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 23 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 160 A 9.6 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 160 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 54 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
Datablad
Ej på lager
Min.: 300
Multipla: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 650V/18A TO-247
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 60V/220A TrenchT3
Datablad
Ej på lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 136 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 230 Amps 75V
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 23 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 230 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
Datablad
Ej på lager
Min.: 1
Multipla: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 175 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 1000V 26A TO-247 Power MOSFET
Datablad
Ledtid 27 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8 A 320 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 113 nC - 55 C + 150 C 860 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
Datablad
Ej på lager
Min.: 300
Multipla: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 155 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er TO247 850V 30A N-CH XCLASS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 30 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 695 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 500V 40A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 44 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 40 A 140 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO247 300V 46A N-CH TRENCH
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 23 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er Power MOSFET AEC-Q101 Qualified
Datablad
Ej på lager
Min.: 300
Multipla: 30

Si AEC-Q101 HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
Datablad
Ej på lager
Min.: 1
Multipla: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 116 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
Datablad
Ej på lager
Min.: 1
Multipla: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 143 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 650V/60A TO-247-4L
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 200V/70A
Datablad
Ledtid 26 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 70 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 31 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 70 A 54 mOhms - 30 V, 30 V 98 nC 830 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO247 150V 76A N-CH TRENCH
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 23 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 97 nC - 55 C + 150 C 350 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er Polar3 HiPerFET Power MOSFET Ej på lager
Min.: 1
Multipla: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er Trench HiperFETs Power MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 23 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 300 V 94 A 36 mOhms HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 96 Amps 150V 0.024 Rds
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 96 A 24 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er TO247 850V 9.5A N-CH XCLASS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 9.5 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement HiPerFET Tube