StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon StrongIRFET™ Power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. These devices are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. These MOSFETs have the highest current-carrying capability in the industry. This feature leads to increased robustness and reliability for high power density applications which require high efficiency and reliability. 

Resultat: 27
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Kvalificering
Handelsnamn
Förpackning

Infineon Technologies MOSFET:er MOSFET_(120V 300V)
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 22 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Infineon Technologies IRFP3006PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET:er IR FET UP TO 60V
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 8 Veckor
Min.: 400
Multipla: 400

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 60 V 195 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 200 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube