IRFP3006PBFXKMA1

Infineon Technologies
726-IRFP3006PBFXKMA1
IRFP3006PBFXKMA1

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er IR FET UP TO 60V

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
Ej på lager
Fabrikens ledtid:
8 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.
Minst: 400   Flera: 400
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
28,20 kr 11 280,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Infineon
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
Through Hole
TO-247AC-3
N-Channel
1 Channel
60 V
195 A
2.5 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
200 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
Tube
Märke: Infineon Technologies
Falltid: 189 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 182 ns
Fabriksförpackningskvantitet: 400
Underkategori: Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 118 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 16 ns
Del # Alias: IRFP3006PBFXKMA1 SP005732687
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Tyskland
Monteringsland:
Kina
Distributionsland:
Tyskland
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon StrongIRFET™ Power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. These devices are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. These MOSFETs have the highest current-carrying capability in the industry. This feature leads to increased robustness and reliability for high power density applications which require high efficiency and reliability.