IXBx14N300HV Reverse Conducting BiMOSFET™ IGBTs

IXYS IXBx14N300HV Reverse Conducting BiMOSFET™ IGBTs combine the strengths of MOSFETs and IGBTs. These high voltage devices are ideal for parallel operation due to the positive voltage temperature coefficient of both its saturation voltage and the forward voltage drop of its intrinsic diode. The "Free" intrinsic body diodes of the IXBx14N300HV BiMOSFET IGBTs serve as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Paket/låda
Monteringsstil
Konfiguration
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.
Kollektor - Sändarens mättnadsspänning
Maximal grind-emitterspänning
Kontinuerlig kollektorström vid 25 C
Pd - Effektavledning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Serie
Förpackning
IXYS IGBTs IGBT BIMSFT-VERY HIV OLT
Datablad
300Förväntad 2026-08-13
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT Single 3 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 38 A 200 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBTs TO263 3KV 14A HI GAIN
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 48 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si TO-263HV-3 SMD/SMT Single 3 kV 2.2 V - 20 V, 20 V 38 A 200 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube