IXBT14N300HV

Name: IXYS IXBT14N300HV
Brand: IXYS
SKU: 576-IXBT14N300HV
Price: 547.6 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

576-IXBT14N300HV

Tillverk: Nr.:

IXBT14N300HV

Tillverk:

IXYS

Beskrivning:

IGBTs IGBT BIMSFT-VERY HIV OLT

Datablad:

IXBT14N300HV Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om IXYS IXBT14N300HV

Tillgänglighet

Lager:: 0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 300

Förväntad 2026-08-24
Fabrikens ledtid:: 54

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	547,60 kr	547,60 kr
	467,04 kr	4 670,40 kr
	385,20 kr	46 224,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	IGBTs
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Konfiguration:	Single
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.:	3 kV
Kollektor - Sändarens mättnadsspänning:	2.7 V
Maximal grind-emitterspänning:	- 20 V, 20 V
Kontinuerlig kollektorström vid 25 C:	38 A
Pd - Effektavledning:	200 W
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Serie:	Very High Voltage
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Fuktkänsliga:	Yes
Produkttyp:	IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	IGBTs
Handelsnamn:	BIMOSFET

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IXBT14N300HV Datablad

PCN

Product Change Notification (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Korea
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

IXBx14N300HV Reverse Conducting BiMOSFET™ IGBTs

IXYS IXBx14N300HV Reverse Conducting BiMOSFET™ IGBTs combine the strengths of MOSFETs and IGBTs. These high voltage devices are ideal for parallel operation due to the positive voltage temperature coefficient of both its saturation voltage and the forward voltage drop of its intrinsic diode. The "Free" intrinsic body diodes of the IXBx14N300HV BiMOSFET IGBTs serve as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.