SiC-MOSFET:ar – Mouser Sverige

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultat: 10

Tillämpade filter:

Monteringsstil

Paket/låda

Id - Kontinuerlig dräneringsström

Rds på - Dräneringskällans resistans

Vgs - Gate-källans spänning

Vgs th - Gate-källans tröskelspänning

Qg - Gate-laddning

Maximal drifttemperatur

Pd - Effektavledning

Kvalificering

Återställ alla

Sök inom resultat

På lager

Finns normalt i lager

Aktiv

Nya produkter

Överensstämmer med RoHS-direktiv

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Artikelnummer

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: 124,02 kr
955På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT027H65G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT027H65G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

955På lager

Klipp band

124,02 kr

86,60 kr

70,38 kr

Papprulle

65,72 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: 83,42 kr
1 754På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT055TO65G3

Mouser artikelnummer
511-SCT055TO65G3

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

Läs mer

Datablad

1 754På lager

Klipp band

83,42 kr

57,03 kr

47,06 kr

42,72 kr

39,11 kr

Papprulle

39,11 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 175,22 kr
475På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT018W65G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

475På lager

175,22 kr

129,11 kr

98,69 kr

85,75 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: 105,26 kr
527På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT040W65G3-4

Mouser artikelnummer
511-SCT040W65G3-4

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

527På lager

105,26 kr

63,18 kr

56,29 kr

53,53 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 122,32 kr
481På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT040W65G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

481På lager

122,32 kr

88,72 kr

75,90 kr

64,55 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: 151,05 kr
145På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT018H65G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

145På lager

Klipp band

151,05 kr

106,53 kr

101,87 kr

90,84 kr

Papprulle

84,80 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: 110,35 kr
876På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT040H65G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

Läs mer

Datablad

876På lager

Klipp band

110,35 kr

76,53 kr

60,42 kr

Papprulle

56,39 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: 93,92 kr
8På lager
1 800Förväntad 2026-07-13
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT040TO65G3

Mouser artikelnummer
511-SCT040TO65G3

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

Läs mer

Datablad

8På lager

1 800Förväntad 2026-07-13

Klipp band

93,92 kr

64,55 kr

48,97 kr

48,87 kr

Papprulle

45,58 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 140,03 kr
16På lager
600På beställningen

Tillverk: Artikelnummer
SCT055W65G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Läs mer

Datablad

16På lager

600På beställningen

140,03 kr

110,98 kr

102,82 kr

73,88 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1 000: 79,50 kr
Ledtid för icke lagerfört 21 Veckor
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT018H65G3-7

Mouser artikelnummer
511-SCT018H65G3-7

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

Ledtid för icke lagerfört 21 Veckor

Papprulle

79,50 kr

Min.: 1 000
Multipla: 1 000

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

Kundtjänstkontor

Företag

Resurser

Support