SiC-MOSFET:ar – Mouser Sverige

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultat: 11

Tillämpade filter:

Monteringsstil

Paket/låda

Id - Kontinuerlig dräneringsström

Rds på - Dräneringskällans resistans

Vgs - Gate-källans spänning

Vgs th - Gate-källans tröskelspänning

Qg - Gate-laddning

Maximal drifttemperatur

Pd - Effektavledning

Kvalificering

Återställ alla

Sök inom resultat

På lager

Finns normalt i lager

Aktiv

Nya produkter

Överensstämmer med RoHS-direktiv

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Artikelnummer

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: 106,17 kr
969På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT040H65G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

Läs mer

Datablad

969På lager

Klipp band

106,17 kr

73,58 kr

62,13 kr

Papprulle

52,76 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 1 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

SCTW90N65G2V
STMicroelectronics
1: 211,79 kr
47På lager
600Förväntad 2026-04-20

Tillverk: Artikelnummer
SCTW90N65G2V

Mouser artikelnummer
511-SCTW90N65G2V

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

Läs mer

Datablad

47På lager

600Förväntad 2026-04-20

211,79 kr

189,55 kr

170,04 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

90 A

25 mOhms

- 10 V, + 22 V

1.9 V

157 nC

- 55 C

+ 200 C

390 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: 118,27 kr
1 082På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT027H65G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT027H65G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

1 082På lager

Klipp band

118,27 kr

83,28 kr

72,38 kr

Papprulle

61,48 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: 101,59 kr
547På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT040W65G3-4

Mouser artikelnummer
511-SCT040W65G3-4

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

547På lager

101,59 kr

60,71 kr

57,77 kr

50,03 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 117,39 kr
641På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT040W65G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT040W65G3-4AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

641På lager

117,39 kr

95,48 kr

79,57 kr

70,96 kr

60,39 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: 79,68 kr
1 779På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT055TO65G3

Mouser artikelnummer
511-SCT055TO65G3

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

Läs mer

Datablad

1 779På lager

Klipp band

79,68 kr

57,99 kr

48,40 kr

43,06 kr

38,37 kr

Papprulle

38,26 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 1 800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: 90,03 kr
37På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT040TO65G3

Mouser artikelnummer
511-SCT040TO65G3

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

Läs mer

Datablad

37På lager

Klipp band

90,03 kr

63,33 kr

50,25 kr

Papprulle

42,62 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 1 800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: 145,08 kr
202På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT018H65G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

202På lager

Klipp band

145,08 kr

102,46 kr

93,41 kr

Papprulle

79,24 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 149,00 kr
532På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT018W65G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

532På lager

149,00 kr

115,32 kr

111,51 kr

108,67 kr

Granska

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 117,39 kr
57På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT055W65G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Läs mer

Datablad

57På lager

117,39 kr

95,48 kr

79,57 kr

60,28 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1 000: 92,32 kr
Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT018H65G3-7

Mouser artikelnummer
511-SCT018H65G3-7

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor

Papprulle

92,32 kr

Min.: 1 000
Multipla: 1 000

Papprulle: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

Kundtjänstkontor

Företag

Resurser

Support