Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

SCT018H65G3-7

Name: STMicroelectronics SCT018H65G3-7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT018H65G3-7
Price: 79.5 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-SCT018H65G3-7

Tillverk: Nr.:

SCT018H65G3-7

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Komplettera din design

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

SCT018H65G3-7 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics SCT018H65G3-7

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 21 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 1000 Flera: 1000

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
	79,50 kr	79 500,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	H2PAK-7
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	55 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	27 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	-10 V, 22 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.2 V
Qg - Gate-laddning:	79.4 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	385 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Falltid:	25 ns
Förpackning:	Reel
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	28 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	56 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	25 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SCT018H65G3-7 Datablad (PDF)

PCN

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Kina
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.