650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency. 

Resultat: 26
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Handelsnamn


Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
3 984På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
360På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
817På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 346 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
729På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 217 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 27 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
653På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 30 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
437På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
753På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 141 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 35 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
861På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
1 019På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
434På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
460På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 48 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
899På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 59 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
254På lager
240Förväntad 2026-07-09
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 48 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
132På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
38På lager
1 200Förväntad 2026-05-07
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
61På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
320På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 19 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
365På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
116På lager
240Förväntad 2026-07-23
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
1 200Förväntad 2026-05-07
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
480Förväntad 2026-04-29
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 51 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 44 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC