Resultat: 40
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Handelsnamn
Förpackning
IXYS MOSFET:er TO3P 1.5KV 3A N-CH HIVOLT
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1.5 kV 1.83 A 7.3 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 73 W Tube
IXYS MOSFET:er TO268 1.5KV 4A N-CH HIVOLT
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET:er 0.5 Amps 1000V
Datablad
Ej på lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 75

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 40 W Reel, Cut Tape

IXYS MOSFET:er 24 Amps 1000V
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 28 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 24 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 5.5 V 267 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET:er 2 Amps 1000V 7 Rds
Datablad
Ej på lager
Min.: 300
Multipla: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 2 A 7 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 100 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET:er 13 Amps 800V
Datablad
Ej på lager
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 800 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET:er 14 Amps 800V 0.7 Rds
Datablad
Ej på lager
Min.: 30
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 700 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET:er 20 Amps 600V 0.35 Rds
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 28 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 350 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET:er 40 Amps 300V 0.085 Rds
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 29 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 40 A 85 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET:er 5 Amps 1000V 2 Rds
Datablad
Ej på lager
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 5 A 2 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET:er 67 Amps 100V 0.025 Rds
Datablad
Ej på lager
Min.: 30
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 67 A 25 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET:er STD N-CHNL PWR MOSFE 100V, 75A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 20 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET:er 33 Amps 500V 0.17 Rds
Datablad
Ej på lager
Min.: 300
Multipla: 300

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 33 A 170 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 416 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET:er 1.5 Amps 1000V 11 Rds
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 38 Veckor
Min.: 300
Multipla: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.5 A 11 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET:er 75 Amps 100V 0.02 Rds
Datablad
Ej på lager
Min.: 30
Multipla: 30
Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 20 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube