MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors

PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors offer a collector-emitter voltage (VCE) of 160V and a collector current (IC) rating of 600mA. The PANJIT MMBT5551W is suitable for a wide range of electronic applications. This transistor is environmentally friendly, lead-free, and complies with EU RoHS 2.0 regulations. Additionally, it features a green molding compound that meets the IEC 61249 standard.

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Konfiguration
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.
Kollektor- Basspänning VCBO
Sändare - Basspänning VEBO
Kollektor - Sändarens mättnadsspänning
Pd - Effektavledning
GBW förstärkning-bandbreddsprodukt fT
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Kvalificering
Förpackning
Panjit Bipolära transistorer - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR,AEC-Q101 qualified
Datablad
26 735På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN Single 160 V 180 V 6 V 200 mV 200 mW 300 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Bipolära transistorer - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
Datablad
29 441På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN Single 160 V 180 V 6 V 200 mV 200 mW 300 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel