IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [RDS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (ID) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (VDSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).

Resultat: 13
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
IXYS SiC-MOSFET:ar 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Datablad
100På lager
450Förväntad 2026-06-02
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFET:ar 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
Datablad
78På lager
800Förväntad 2026-06-02
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFET:ar 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
Datablad
2 090På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFET:ar 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
Datablad
900På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFET:ar SiC MOSFET in TO263-7L
Datablad
900På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFET:ar SiC MOSFET in TO263-7L
Datablad
900På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFET:ar 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Datablad
550På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFET:ar SiC MOSFET in TO247-4L
Datablad
550På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFET:ar SiC MOSFET in TO247-4L HV
Datablad
550På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFET:ar SiC MOSFET in TO263
Datablad
76På lager
800Förväntad 2026-02-16
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFET:ar SiC MOSFET in TOLL
Datablad
76På lager
2 000Förväntad 2026-02-16
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFET:ar SiC MOSFET in TOLL
Datablad
80På lager
2 000Förväntad 2026-02-16
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 000

SMD/SMT TTOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFET:ar SiC MOSFET in TO247-4L HV
Datablad
100På lager
450Förväntad 2026-03-23
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement