Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IXSA65N120L2-7TR

Name: IXYS IXSA65N120L2-7TR
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSA65N120L2-7TR
Price: 93.85 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXSA65N120L2-7TR

Tillverk: Nr.:

IXSA65N120L2-7TR

Tillverk:

IXYS

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

IXSA65N120L2-7TR Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om IXYS IXSA65N120L2-7TR

På lager: 78

Lager:: 78

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 800

Förväntad 2026-06-02
Fabrikens ledtid:: 27

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 800)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	93,85 kr	93,85 kr
	69,32 kr	693,20 kr
	51,56 kr	5.156,00 kr
	43,82 kr	21.910,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 800)
	43,82 kr	35.056,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-263-7L
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	65 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	53 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.5 V
Qg - Gate-laddning:	110 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	417 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Falltid:	11.6 ns
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Produkt:	MOSFETs
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	19.6 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	800
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	20.8 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	11 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IXSA65N120L2-7TR Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [R_DS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (I_D) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (V_DSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).