Resultat: 71
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Kvalificering Handelsnamn
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/18MOSICFETG4TO263 1 168På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/33MOSICFETG4TO263 486På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/40MOSICFETG3TO247-4 3 300På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/40MOSICFETG3TO247-3 1 258På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1200V/80MOSICFETG3TO263-7 722På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28.8 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/18MOSICFETG4TO247 638På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/80MOSICFETG3TO247-4 588På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/7MOSICFETG3TO247-4 455På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 9 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 214 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1200V/16MOSICFETG3TO24 466På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 21 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 218 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/30MOSICFETG3TO247 608På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/60MOSICFETG4TO247 1 916På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/44MOSICFETG4TO263 730På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/23MOSICFETG4TO263 787På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/30MOSICFETG3TO220-3 902På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 5 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1200V/40MOSICFETG3TO247-4 676På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 750V/23MOSICFETG4TO247 812På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1200V/400MOSICFETG3TO247-3 278På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/80MOSICFETG3TO263-3 1 258På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/30MOSICFETG3TO263-3 453På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 65 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 25 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/40MOSICFETG3TO263 738På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 43 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/80MOSICFETG3TO263-3 435På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/40MOSICFETG3TO220-3 145På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1200V/80MOSICFETG3TO247-3 1 117På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 1200V/16MOSICFETG3TO24 205På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 21 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 218 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFET:ar 650V/80MOSICFETG3TO263-7 200På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement SiC FET