Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NJVMJD45H11G

Name: onsemi NJVMJD45H11G
Brand: onsemi
SKU: 863-NJVMJD45H11G
Price: 12.75 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NJVMJD45H11G

Tillverk: Nr.:

NJVMJD45H11G

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

Bipolära transistorer - BJT BIP DPAK PNP 8A 80V

Datablad:

NJVMJD45H11G Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NJVMJD45H11G

På lager: 2 212

Lager:: 2 212 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 8 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	12,75 kr	12,75 kr
	11,45 kr	114,50 kr
	4,99 kr	374,25 kr

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:

NJVMJD45H11T4G-VF01

Emballage:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Tillgänglighet:

På lager

Pris:

14,28 kr

Min:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	Bipolära transistorer - BJT
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorns polaritet:	PNP
Konfiguration:	Single
Maximal DC-kollektorström:	8 A
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.:	80 V
Sändare - Basspänning VEBO:	5 V
Kollektor - Sändarens mättnadsspänning:	1 V
Pd - Effektavledning:	20 W
GBW förstärkning-bandbreddsprodukt fT:	90 MHz
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Kvalificering:	AEC-Q101
Serie:	MJD45H11
Förpackning:	Tube
Märke:	onsemi
Monteringsland:	VN
Distributionsland:	MY
Ursprungsland:	MY
Produkttyp:	BJTs - Bipolar Transistors
Fabriksförpackningskvantitet:	75
Underkategori:	Transistors
Enhetens vikt:	350 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NJVMJD45H11G Datablad

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NJVMJD45H11G Bipolar Junction Transistor

onsemi NJVMJD45H11G Bipolar Junction Transistor (BJT) is a fast switching device with low collector-emitter saturation voltage. The electrical characteristics of NJVMJD45H11G transistor include 8A current, 80V voltage, and 20W power. This transistor is electrically similar to D44H/D45H series. onsemi NJVMJD45H11G is available in a straight lead version in plastic sleeves along with complementary pairs to simplify designs. This transistor is used for general-purpose power and switching devices. The applications include switching regulators, converters, and power amplifiers.