Power Silicon Carbide Schottky Diodes

Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.

Resultat: 16
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Konfiguration
If - Framström
Vrrm - Repetativ backspänning
Vf - Framspänning
Ifsm - Stötström framåt
Ir - Motström
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Serie
Vishay Semiconductors SiC-schottkydioder SiCG4D2PAK2L
Datablad
800Förväntad 2026-04-14
Min.: 1
Multipla: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC-schottkydioder SiCG4D2PAK2L
Datablad
800Förväntad 2026-04-14
Min.: 1
Multipla: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC-schottkydioder SiCG4D2PAK2L
Datablad
800Förväntad 2026-04-14
Min.: 1
Multipla: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC-schottkydioder SiCG4D2PAK2L
Datablad
800Förväntad 2026-04-14
Min.: 1
Multipla: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC-schottkydioder SiCG4D2PAK2L
Datablad
800Förväntad 2026-04-14
Min.: 1
Multipla: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC-schottkydioder SiCG4D2PAK2L
Datablad
800Förväntad 2026-04-14
Min.: 1
Multipla: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC-schottkydioder SiCG4D2PAK2L
Datablad
800Förväntad 2026-04-14
Min.: 1
Multipla: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC-schottkydioder SiCG4D2PAK2L
Datablad
800Förväntad 2026-04-14
Min.: 1
Multipla: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC-schottkydioder SiCG4D2PAK2L
Datablad
800Förväntad 2026-04-14
Min.: 1
Multipla: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC-schottkydioder SiCG4D2PAK2L
Datablad
800Förväntad 2026-04-14
Min.: 1
Multipla: 1

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC-schottkydioder SiCG4D2PAK2L
Datablad
800Förväntad 2026-04-14
Min.: 1
Multipla: 1

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC-schottkydioder SiCG4D2PAK2L
Datablad
800Förväntad 2026-03-06
Min.: 1
Multipla: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 6 A 650 V 1.3 V 39 A 35 uA - 55 C + 175 C 4C06ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC-schottkydioder SiCG4D2PAK2L
Datablad
800Förväntad 2026-03-06
Min.: 1
Multipla: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 6 A 650 V 1.3 V 39 A 35 uA - 55 C + 175 C 4C06ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC-schottkydioder SiCG4D2PAK2L
Datablad
780Förväntad 2026-04-14
Min.: 1
Multipla: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 4C08ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC-schottkydioder SiCG4D2PAK2L
Datablad
800Förväntad 2026-04-14
Min.: 1
Multipla: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 4C08ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC-schottkydioder SiCG4D2PAK2L
Datablad
800Förväntad 2026-04-14
Min.: 1
Multipla: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07S2L-M3