5 G RF JFET och LDMOS FET

MACOM 5 G RF-korsningstransistorer (JFET:ar) och i sidled diffusa metalloxidhalvledare (LDMOS) är termiskt förbättrade transistorer med hög effekt för nästa generations trådlösa överföring. Enheterna har GaN on SiC transistorteknik med hög elektronförflyttning (HEMT), ingångsmatchning, hög effektivitet och en termiskt förbättrad ytmonterad kapsling med en öronlös fläns. MACOM 5 G RF JFET:ar och LDMOS FET är perfekta för tillämpningar inom mobileffektförstärkare med flera standarder.