PXAE263708NB-V1-R0

Name: MACOM PXAE263708NB-V1-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-PXAE263708NBV1R0
Price: 606.53 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

941-PXAE263708NBV1R0

Tillverk: Nr.:

PXAE263708NB-V1-R0

Tillverk:

MACOM

Beskrivning:

RF MOSFET-transistorer 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz

Datablad:

PXAE263708NB-V1-R0 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om MACOM PXAE263708NB-V1-R0

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: Begär kostnadsberäkning för leverans

Ange kvantitet:

Minst: 50 Flera: 50

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 50)
	606,53 kr	30 326,50 kr
	530,64 kr	53 064,00 kr
1 000	Beräkning

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:

PXAE263708NB-V1-R2

Emballage:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Tillgänglighet:

På lager

Pris:

1 075,48 kr

Min:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	MACOM
Produktkategori:	RF MOSFET-transistorer
RoHS-direktivet:
Transistorns polaritet:	N-Channel
Teknologi:	Si
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	65 V
Rds på - Dräneringskällans resistans:	80 mOhms
Manövreringsfrekvens:	2.62 GHz to 2.69 GHz
Förstärkning:	13.5 dB
Utgångseffekt:	400 W
Maximal drifttemperatur:	+ 225 C
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	HB2SOF-8-1
Förpackning:	Reel
Märke:	MACOM
Antal kanaler:	1 Channel
Produkttyp:	RF MOSFET Transistors
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	MOSFETs
Typ:	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-källans spänning:	- 6 V to + 10 V

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

PXAE263708NB-V1-R0 Datablad (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Malaysia
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

5 G RF JFET och LDMOS FET

MACOM 5 G RF-korsningstransistorer (JFET:ar) och i sidled diffusa metalloxidhalvledare (LDMOS) är termiskt förbättrade transistorer med hög effekt för nästa generations trådlösa överföring. Enheterna har GaN on SiC transistorteknik med hög elektronförflyttning (HEMT), ingångsmatchning, hög effektivitet och en termiskt förbättrad ytmonterad kapsling med en öronlös fläns. MACOM 5 G RF JFET:ar och LDMOS FET är perfekta för tillämpningar inom mobileffektförstärkare med flera standarder.