MJD Automotive Medium Power Transistors

Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors are bipolar transistors that are AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and manufactured in IATF16949 certified facilities. Each device has a collector-emitter breakdown voltage of 50V or 100V (minimum). The Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors come in a TO-252 (DPAK) package and are ideal for power switching or amplification applications.

Resultat: 4
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Konfiguration
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.
Kollektor- Basspänning VCBO
Sändare - Basspänning VEBO
Kollektor - Sändarens mättnadsspänning
Pd - Effektavledning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Kvalificering
Förpackning
Diodes Incorporated Bipolära transistorer - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Datablad
5 679På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 50 V 70 V 7 V 300 mV 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolära transistorer - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Datablad
1 061På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.2 V 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolära transistorer - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Datablad
1 040På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 7 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolära transistorer - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Datablad
2 395Förväntad 2026-04-29
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.5 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape