Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

Resultat: 49
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Handelsnamn
Teknologi
Renesas Electronics GaN FET 700V, 240mohm GaN FET in DPAK
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 2 500
Multipla: 2 500
: 2 500

SMD/SMT TO-252-3L N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 312 mOhms 20 V 2.5 V 5.4 ns - 55 C + 150 C 31.2 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 5 000
Multipla: 5 000
: 5 000

700 V SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 3 000
Multipla: 3 000
: 3 000

700 V SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 3 000
Multipla: 3 000
: 3 000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 312 mOhms 20 V 2.5 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 31.2 W Enhancement SuperGan GaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 5 000
Multipla: 5 000
: 5 000

700 V SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 5 000
Multipla: 5 000
: 5 000

700 V SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in DPAK
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 2 500
Multipla: 2 500
: 2 500

SMD/SMT TO-252-3L N-Channel 1 Channel 700 V 5 A 560 mOhms 20 V 2.5 V 5.2 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhanecement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 3 000
Multipla: 3 000
: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 14.2 A 180 mOhms 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 3 000
Multipla: 3 000
: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 312 mOhms 20 V 2 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 31.5 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 85mohm GaN FET in TOLL Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 2 000
Multipla: 2 000
: 2 000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 3 000
Multipla: 3 000
: 3 000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 180 mOhms 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 3 000
Multipla: 3 000
: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 312 mOhms 12 V 2.5 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 31.2 W SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in TO220
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 312 mOhms 12 V 2.5 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 31.2 W SuperGaN GaN
Renesas Electronics TP65H065G4PLSGB-TR
Renesas Electronics GaN FET 650V, 65mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 3 000
Multipla: 3 000
: 3 000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H070G4LSGBA-TR
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 3 000
Multipla: 3 000
: 3 000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H030G4PYS
Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TO247-4L Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 960
Multipla: 240

TO-247-4L 650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H050G4PQS-TR
Renesas Electronics GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TOLL Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 2 000
Multipla: 2 000
: 2 000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H050G4PRS-TR
Renesas Electronics GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TOLT Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 1 300
Multipla: 1 300
: 1 300

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H050G4PWS
Renesas Electronics GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 960
Multipla: 240

TO-247-3L 650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H050G4PYS
Renesas Electronics GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 960
Multipla: 240

TO-247-4L 650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H065G4PLSG-TR
Renesas Electronics GaN FET 650V, 65mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 3 000
Multipla: 3 000
: 3 000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H065G4PPS
Renesas Electronics GaN FET 650V, 65mohm GaN FET in TO-220 Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 1 250
Multipla: 1 250

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H065G4PQS-TR
Renesas Electronics GaN FET 650V, 65mohm GaN FET in TOLL Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 2 000
Multipla: 2 000
: 2 000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H065G4PRS-TR
Renesas Electronics GaN FET 650V, 65mohm GaN FET in TOLT Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 1 300
Multipla: 1 300
: 1 300

650 V SuperGaN