MJD2873 NPN 50V 2A High Power Bipolar Transistors

Nexperia MJD2873 NPN 50V 2A High Power Bipolar Transistors come in a power DPAK, TO-252 (SOT428C) surface-mounted device (SMD) plastic package. These devices have a high thermal power dissipation capability and have high energy efficiency due to less heat generation. The Nexperia MJD2873 has a low collector-emitter saturation voltage and has fast switching speeds. Typical applications for these devices are power management, load switch, linear mode voltage regulator, constant current drive backlighting, motor drives, and relay replacement. The MJD2873-Q bipolar transistor is AEC-Q101 qualified.

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Teknologi Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Konfiguration Maximal DC-kollektorström Kollektor- Emitterspänning VCEO Max. Sändare - Basspänning VEBO Kollektor - Sändarens mättnadsspänning Pd - Effektavledning GBW förstärkning-bandbreddsprodukt fT Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Kvalificering Förpackning
Nexperia Bipolära transistorer - BJT SOT428 50V 2A NPN HI PWR BJT 3 545På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 2 A 50 V 6 V 300 mV 15 W 65 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolära transistorer - BJT SOT428 50V 2A NPN HI PWR BJT Ledtid för icke lagerfört 12 Veckor
Min.: 2 500
Multipla: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 3 A 50 V 6 V 300 mV 1.6 W 65 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel