SiC-MOSFET:ar – Mouser Sverige

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultat: 29

Tillämpade filter:

Monteringsstil

Paket/låda

Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning

Id - Kontinuerlig dräneringsström

Rds på - Dräneringskällans resistans

Vgs - Gate-källans spänning

Vgs th - Gate-källans tröskelspänning

Qg - Gate-laddning

Maximal drifttemperatur

Pd - Effektavledning

Återställ alla

Sök inom resultat

På lager

Finns normalt i lager

Aktiv

Nya produkter

Överensstämmer med RoHS-direktiv

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Bild	Artikelnummer	Tillverk:	Beskrivning	Datablad	Tillgänglighet	Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.	Antal	Monteringsstil	Paket/låda	Antal kanaler	Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning	Id - Kontinuerlig dräneringsström	Rds på - Dräneringskällans resistans	Vgs - Gate-källans spänning	Vgs th - Gate-källans tröskelspänning	Qg - Gate-laddning	Minsta drifttemperatur	Maximal drifttemperatur	Pd - Effektavledning	Kanalläge	Handelsnamn
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 66,16 kr 825På lager NRND	Tillverk: Artikelnummer IMBG120R090M1HXTMA1 Mouser artikelnummer 726-IMBG120R090M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Datablad	825På lager	Klipp band 66,16 kr 45,61 kr 41,10 kr 39,12 kr Papprulle 38,47 kr MouseReel tillgängligt	Min.: 1 Multipla: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	26 A	125 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 131,11 kr 617På lager NRND	Tillverk: Artikelnummer IMBG120R045M1HXTMA1 Mouser artikelnummer 726-IMBG120R045M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Datablad	617På lager	Klipp band 131,11 kr 79,90 kr 74,18 kr Papprulle 70,12 kr MouseReel tillgängligt	Min.: 1 Multipla: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	47 A	45 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 59,57 kr 368På lager NRND	Tillverk: Artikelnummer IMZ120R140M1HXKSA1 Mouser artikelnummer 726-IMZ120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Datablad	368På lager	59,57 kr 41,32 kr 38,57 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 98,47 kr 303På lager NRND	Tillverk: Artikelnummer IMBG120R060M1HXTMA1 Mouser artikelnummer 726-IMBG120R060M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Datablad	303På lager	Klipp band 98,47 kr 54,84 kr 51,65 kr Papprulle 48,91 kr MouseReel tillgängligt	Min.: 1 Multipla: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	36 A	83 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	181 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 147,82 kr 370På lager NRND	Tillverk: Artikelnummer IMW120R030M1HXKSA1 Mouser artikelnummer 726-IMW120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Datablad	370På lager	147,82 kr 99,79 kr 95,06 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	40 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 154,63 kr 2 509På lager NRND	Tillverk: Artikelnummer IMBG120R030M1HXTMA1 Mouser artikelnummer 726-IMBG120R030M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Datablad	2 509På lager	Klipp band 154,63 kr 92,65 kr Papprulle 86,49 kr MouseReel tillgängligt	Min.: 1 Multipla: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	56 A	41 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	63 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R450M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 72,31 kr 6 541På lager 9 000På beställningen	Tillverk: Artikelnummer IMBF170R450M1XTMA1 Mouser artikelnummer 726-IMBF170R450M1XTM	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Läs mer om Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Datablad	6 541På lager 9 000På beställningen På beställningens leveransdatum Tillverk: Nr.: IMBF170R450M1XTMA1 Lager: 6 541 Kan skickas omedelbart På beställningen: 3 000 Förväntad 2027-07-08 6 000 TBD Fabrikens ledtid: 52 Veckor	Klipp band 72,31 kr 48,36 kr 38,90 kr 34,62 kr Papprulle 30,66 kr MouseReel tillgängligt	Min.: 1 Multipla: 1 Max.: 1 000 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	9.8 A	450 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 59,24 kr 1 420På lager NRND	Tillverk: Artikelnummer IMBG120R350M1HXTMA1 Mouser artikelnummer 726-IMBG120R350M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Datablad	1 420På lager	Klipp band 59,24 kr 38,79 kr 28,68 kr 25,94 kr Papprulle 25,94 kr MouseReel tillgängligt	Min.: 1 Multipla: 1 Max.: 500 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	468 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	5.9 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 87,37 kr 1 054På lager NRND	Tillverk: Artikelnummer IMW120R090M1HXKSA1 Mouser artikelnummer 726-IMW120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Datablad	1 054På lager	87,37 kr 46,82 kr 43,08 kr 40,99 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 68,36 kr 3 851På lager NRND	Tillverk: Artikelnummer IMW120R220M1HXKSA1 Mouser artikelnummer 726-IMW120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Datablad	3 851På lager	68,36 kr 35,61 kr 32,75 kr 32,64 kr 29,56 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	13 A	289 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 138,14 kr 1 701På lager NRND	Tillverk: Artikelnummer IMW65R027M1HXKSA1 Mouser artikelnummer 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET Läs mer om Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datablad	1 701På lager	138,14 kr 83,08 kr 81,99 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 101,66 kr 341På lager NRND	Tillverk: Artikelnummer IMW65R048M1HXKSA1 Mouser artikelnummer 726-IMW65R048M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET Läs mer om Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datablad	341På lager	101,66 kr 55,28 kr 51,10 kr 50,77 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 108,36 kr 855På lager NRND	Tillverk: Artikelnummer IMZ120R060M1HXKSA1 Mouser artikelnummer 726-IMZ120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Datablad	855På lager	108,36 kr 78,47 kr 65,28 kr 58,14 kr 54,40 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 92,21 kr 950På lager NRND	Tillverk: Artikelnummer IMZ120R090M1HXKSA1 Mouser artikelnummer 726-IMZ120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Datablad	950På lager	92,21 kr 49,67 kr 45,83 kr 44,07 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 98,36 kr 298På lager NRND	Tillverk: Artikelnummer IMZA65R048M1HXKSA1 Mouser artikelnummer 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET Läs mer om Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datablad	298På lager	98,36 kr 56,60 kr 52,42 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R650M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 64,29 kr 2 436På lager	Tillverk: Artikelnummer IMBF170R650M1XTMA1 Mouser artikelnummer 726-IMBF170R650M1XTM	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Läs mer om Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Datablad	2 436På lager	Klipp band 64,29 kr 42,20 kr 30,99 kr 27,58 kr Papprulle 24,40 kr MouseReel tillgängligt	Min.: 1 Multipla: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	7.4 A	650 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	8 nC	- 55 C	+ 175 C	88 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 71,00 kr 3 842På lager NRND	Tillverk: Artikelnummer IMBG120R140M1HXTMA1 Mouser artikelnummer 726-IMBG120R140M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Datablad	3 842På lager	Klipp band 71,00 kr 38,14 kr 34,84 kr Papprulle 32,42 kr MouseReel tillgängligt	Min.: 1 Multipla: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	18 A	189 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	13.4 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 62,97 kr 2 469På lager NRND	Tillverk: Artikelnummer IMBG120R220M1HXTMA1 Mouser artikelnummer 726-IMBG120R220M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Datablad	2 469På lager	Klipp band 62,97 kr 33,41 kr 30,00 kr Papprulle 26,60 kr MouseReel tillgängligt	Min.: 1 Multipla: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	13 A	294 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	9.4 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 104,73 kr 472På lager 720På beställningen NRND	Tillverk: Artikelnummer IMW120R060M1HXKSA1 Mouser artikelnummer 726-IMW120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Datablad	472På lager 720På beställningen	104,73 kr 73,96 kr 61,76 kr 54,95 kr 51,32 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 75,28 kr 314På lager NRND	Tillverk: Artikelnummer IMW65R072M1HXKSA1 Mouser artikelnummer 726-IMW65R072M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET Läs mer om Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datablad	314På lager	75,28 kr 43,19 kr 40,22 kr 38,68 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	26 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 71,54 kr 463På lager NRND	Tillverk: Artikelnummer IMW65R107M1HXKSA1 Mouser artikelnummer 726-IMW65R107M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET Läs mer om Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datablad	463På lager	71,54 kr 37,48 kr 34,51 kr 31,87 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	142 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 67,26 kr 43På lager 960På beställningen NRND	Tillverk: Artikelnummer IMW120R350M1HXKSA1 Mouser artikelnummer 726-IMW120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Datablad	43På lager 960På beställningen På beställningens leveransdatum Tillverk: Nr.: IMW120R350M1HXKSA1 Lager: 43 Kan skickas omedelbart På beställningen: 720 Förväntad 2026-12-03 240 Förväntad 2026-12-10 Fabrikens ledtid: 52 Veckor	67,26 kr 44,07 kr 32,53 kr 28,79 kr 25,50 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	455 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 77,26 kr 19På lager 2 160På beställningen NRND	Tillverk: Artikelnummer IMZ120R220M1HXKSA1 Mouser artikelnummer 726-IMZ120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Datablad	19På lager 2 160På beställningen På beställningens leveransdatum Tillverk: Nr.: IMZ120R220M1HXKSA1 Lager: 19 Kan skickas omedelbart På beställningen: 960 Förväntad 2027-03-25 1 200 Förväntad 2027-04-15 Fabrikens ledtid: 52 Veckor	77,26 kr 51,65 kr 41,54 kr 36,82 kr 32,75 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	13 A	220 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 67,59 kr 179På lager 240Förväntad 2027-01-28 NRND	Tillverk: Artikelnummer IMZ120R350M1HXKSA1 Mouser artikelnummer 726-IMZ120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package	Datablad	179På lager 240Förväntad 2027-01-28	67,59 kr 45,17 kr 36,38 kr 32,20 kr 28,57 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	350 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 150,34 kr 17På lager 3 600På beställningen NRND	Tillverk: Artikelnummer IMZA65R027M1HXKSA1 Mouser artikelnummer 726-IMZA65R027M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET Läs mer om Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datablad	17På lager 3 600På beställningen På beställningens leveransdatum Tillverk: Nr.: IMZA65R027M1HXKSA1 Lager: 17 Kan skickas omedelbart På beställningen: 1 680 Förväntad 2027-10-05 1 920 TBD Fabrikens ledtid: 52 Veckor	150,34 kr 85,17 kr 84,40 kr 84,29 kr	Min.: 1 Multipla: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	59 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC