Resultat: 11
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Handelsnamn
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 164På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 92 A 53.8 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 208På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 74 A 67.6 Ohms - 10 V, + 25 V 5.1 V 62 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 136På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 65 A 35 mOhms - 10 V, + 25 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 172På lager
480På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 52 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SIC DISCRETE 203På lager
Min.: 1
Multipla: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package 335På lager
240Förväntad 2026-05-26
Min.: 1
Multipla: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SIC DISCRETE 224På lager
Min.: 1
Multipla: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package 189På lager
Min.: 1
Multipla: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SIC DISCRETE 230På lager
Min.: 1
Multipla: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SIC DISCRETE 240På lager
Min.: 1
Multipla: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
240Förväntad 2026-12-10
Min.: 1
Multipla: 1
: 240

Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 147 A 31.3 Ohms - 10 V to 25 V 4.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 568 W Enhancement CoolSiC