CoolSIC™ 650 V G2 MOSFET: ar

Infineon Technologies  CoolSiC™ 650 V G2 MOSFET:ar utnyttjar kiselkarbidens prestandakapaciteter genom att möjliggöra lägre energiförlust, vilket innebär högre effektivitet vid strömomvandling.  Infineon CoolSiC 650 V G2 MOSFET:ar ger fördelar för olika tillämpningar med effekthalvledare, som solceller, energilagring, DC EV-laddning, motordrivenheter och industriella strömförsörjningar. En snabbladdningsstation med likström för elfordon utrustade med CoolSiC G2 möjliggör upp till 10 % mindre effektförlust än tidigare generationer, samtidigt som den möjliggör högre laddningskapacitet utan att kompromissa med formfaktorer.

Resultat: 53
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Handelsnamn
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
Datablad
272På lager
720På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32.8 A 73 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
Datablad
114På lager
240Förväntad 2027-01-28
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 32.8 A 73 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
1 113På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 115 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
1 282På lager
1 800Förväntad 2027-02-18
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 15 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
1 733På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
954På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 40 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
1 271På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
1 753På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 60 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
520På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
955På lager
240Förväntad 2026-08-27
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 83 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
919På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
293På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
110På lager
480På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
9På lager
960Förväntad 2026-08-16
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 210 A 8.5 mOhms - 18 V, + 18 V 5.6 V 439 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
241På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
5På lager
2 000Förväntad 2026-11-26
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
21På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
16På lager
480På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
Datablad
5På lager
720Förväntad 2026-09-10
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
1 500På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 196 A 8.5 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 179 nC - 55 C + 175 C 937 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
Datablad
4 396På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 82 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
4 000På beställningen
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 131 A 18 mOhms - 7 V to 23 V 4.5 V 148 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
3 972Förväntad 2027-04-01
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 58.7 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 277 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
Datablad
6 480På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
15 600På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC