CoolSIC™ 650 V G2 MOSFET: ar

Infineon Technologies  CoolSiC™ 650 V G2 MOSFET:ar utnyttjar kiselkarbidens prestandakapaciteter genom att möjliggöra lägre energiförlust, vilket innebär högre effektivitet vid strömomvandling.  Infineon CoolSiC 650 V G2 MOSFET:ar ger fördelar för olika tillämpningar med effekthalvledare, som solceller, energilagring, DC EV-laddning, motordrivenheter och industriella strömförsörjningar. En snabbladdningsstation med likström för elfordon utrustade med CoolSiC G2 möjliggör upp till 10 % mindre effektförlust än tidigare generationer, samtidigt som den möjliggör högre laddningskapacitet utan att kompromissa med formfaktorer.

Resultat: 53
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Handelsnamn
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
258På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 196 A 8.5 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 179 nC - 55 C + 175 C 937 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
447På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 94 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 499 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
624På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
Datablad
1 048På lager
1 800Förväntad 2026-02-20
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 82 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
Datablad
1 676På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
1 627På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 40 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
1 783På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 60 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
682På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
1 960På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 33 mOhms 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
1 868På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 58.7 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 277 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
Datablad
348På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 130 A 13.1 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
480På lager
240Förväntad 2026-06-18
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
222På lager
240Förväntad 2026-08-20
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 83 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
Datablad
380På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
394På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
Datablad
243På lager
480Förväntad 2026-02-16
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 144 A 13.1 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
1 063På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 103 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
361På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
136På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 115 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
Datablad
262På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32.8 A 73 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
Datablad
299På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 32.8 A 73 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
343På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
333På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
276På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
1 996Förväntad 2027-02-03
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 131 A 18 mOhms - 7 V to 23 V 4.5 V 148 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC