CoolSIC™ 650 V G2 MOSFET: ar

Infineon Technologies  CoolSiC™ 650 V G2 MOSFET:ar utnyttjar kiselkarbidens prestandakapaciteter genom att möjliggöra lägre energiförlust, vilket innebär högre effektivitet vid strömomvandling.  Infineon CoolSiC 650 V G2 MOSFET:ar ger fördelar för olika tillämpningar med effekthalvledare, som solceller, energilagring, DC EV-laddning, motordrivenheter och industriella strömförsörjningar. En snabbladdningsstation med likström för elfordon utrustade med CoolSiC G2 möjliggör upp till 10 % mindre effektförlust än tidigare generationer, samtidigt som den möjliggör högre laddningskapacitet utan att kompromissa med formfaktorer.

Resultat: 53
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Handelsnamn
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
728På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC + 175 C 124 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
771På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 800

SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 650 V 34.7 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET 851På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

TOLL-8 650 V 75 mOhms
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
591På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

SMD/SMT LHSOF-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
183På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Datablad
256På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 158 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Datablad
950På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 33 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Datablad
280På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
375På lager
2 250På beställningen
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
911På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 94 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 499 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
499På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
Datablad
1 059På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
921På lager
2 000Förväntad 2026-07-30
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 168 A 13.1 mOhms - 7V, + 23 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 681 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
1 940På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
2 430På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
900På lager
2 000Förväntad 2026-07-16
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 41.4 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 750 V G2
Datablad
1 968På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 N-Channel 650 V 79 A 33 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 650 V G2
Datablad
1 712På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 N-Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
Datablad
259På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 130 A 13.1 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
Datablad
558På lager
240På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
9 343På lager
2 000Förväntad 2026-07-15
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Datablad
416På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 34.9 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 18 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
24På lager
2 000Förväntad 2027-06-17
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 33 mOhms 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET
Datablad
219På lager
4 000Förväntad 2026-08-06
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 48.1 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
Datablad
237På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC