Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

NST807CMTWFTBG

Name: onsemi NST807CMTWFTBG
Brand: onsemi
SKU: 863-NST807CMTWFTBG
Price: 8.02 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NST807CMTWFTBG

Tillverk: Nr.:

NST807CMTWFTBG

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

Bipolära transistorer - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP, 45 V, 500 MA

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

NST807CMTWFTBG Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NST807CMTWFTBG

På lager: 161

Lager:: 161

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 3 000

Förväntad 2026-07-21
Fabrikens ledtid:: 40

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	8,02 kr	8,02 kr
	5,57 kr	55,70 kr
	3,52 kr	352,00 kr
	2,18 kr	1 090,00 kr
	1,60 kr	1 600,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	1,43 kr	4 290,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	Bipolära transistorer - BJT
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	XDFNW-3
Transistorns polaritet:	PNP
Konfiguration:	Single
Maximal DC-kollektorström:	1 A
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.:	45 V
Kollektor- Basspänning VCBO:	45 V
Sändare - Basspänning VEBO:	5 V
Kollektor - Sändarens mättnadsspänning:	700 mV
Pd - Effektavledning:	350 mW
GBW förstärkning-bandbreddsprodukt fT:	360 MHz
Minsta drifttemperatur:	- 65 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Serie:	NST807
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	onsemi
Kontinuerlig dräneringsström:	500 mA
DC-kollektor/basförstärkning Hfe Min:	250 at - 100 mA, - 1 V
DC-strömförstärkning hFE Max:	600 at - 100 mA, - 1 V
Produkttyp:	BJTs - Bipolar Transistors
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NST807CMTWFTBG Datablad

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Malaysia
Monteringsland:: Malaysia
Distributionsland:: Malaysia

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

NST807 General Purpose PNP Transistors

onsemi NST807 General Purpose PNP Transistors are designed for general-purpose switching and amplifier applications. The onsemi NST807 offers high performance and reliability, making it suitable for use in low-power circuits, signal processing, and general electronic applications. The transistor features a maximum collector-emitter voltage (V_CE) of 40V and a maximum collector current (I_C) of 3A, providing versatility for a range of designs. With its low saturation voltage and fast switching speeds, the NST807 is often chosen for high-efficiency circuits. Additionally, its compact DFN1010-3 package allows for space-efficient designs, making the NST807 an excellent choice for consumer electronics, automotive, and industrial applications. The device is engineered to deliver robust performance, with a well-defined characteristic curve that ensures stability and reliability in various environmental conditions.