MJD31CT4GN

Name: onsemi MJD31CT4GN
Brand: onsemi
SKU: 863-MJD31CT4GN
Price: 10.13 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-MJD31CT4GN

Tillverk: Nr.:

MJD31CT4GN

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

Bipolära transistorer - BJT 3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

MJD31CT4GN Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi MJD31CT4GN

På lager: 2 389

Lager:: 2 389 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 8 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	10,13 kr	10,13 kr
	6,26 kr	62,60 kr
	4,10 kr	410,00 kr
	3,17 kr	1.585,00 kr
	2,96 kr	2.960,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	2,51 kr	6.275,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	Bipolära transistorer - BJT
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Transistorns polaritet:	NPN
Konfiguration:	Single
Maximal DC-kollektorström:	5 A
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.:	40 V
Kollektor- Basspänning VCBO:	40 V
Sändare - Basspänning VEBO:	5 V
Kollektor - Sändarens mättnadsspänning:	1.2 V
Pd - Effektavledning:	15 W
GBW förstärkning-bandbreddsprodukt fT:	3 MHz
Minsta drifttemperatur:	- 65 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Serie:	MJD31C
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Kontinuerlig dräneringsström:	3 A
DC-kollektor/basförstärkning Hfe Min:	10
DC-strömförstärkning hFE Max:	50
Produkttyp:	BJTs - Bipolar Transistors
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

MJD31CT4GN Datablad

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MJD31C Bipolar Transistors

onsemi MJD31C Bipolar Transistors are NPN devices designed for general-purpose amplifiers and low-speed switching applications. These complementary power transistors that feature epoxy meet UL 94 V-0 @ 0.125" and lead formed for surface mount applications in plastic sleeves. The MJD31C transistors operate at -65°C to 150°C temperature range, 5V_EB emitter-base voltage, and 3A_DC continuous current. These bipolar transistors are typically housed in a DPAK (TO-252) package and are Pb-free and RoHS-compliant devices. The MJD31C NPN transistors are ideal for power management, load switches, linear voltage regulators, constant current drive backlighting, and motor drive circuits.