|
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
- EPC2367
- EPC
-
1:
74,48 kr
-
15 779På lager
-
6 000Förväntad 2026-11-20
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
65-EPC2367
Ny produkt
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
|
|
15 779På lager
6 000Förväntad 2026-11-20
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
GaN FET GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
- GANE140-700BBAZ
- Nexperia
-
1:
44,89 kr
-
2 297På lager
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
771-GANE140-700BBAZ
Ny produkt
|
Nexperia
|
GaN FET GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
|
|
2 297På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
GaN FET GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
- GANE350-700BBAZ
- Nexperia
-
1:
25,88 kr
-
2 279På lager
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
771-GANE350-700BBAZ
Ny produkt
|
Nexperia
|
GaN FET GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
|
|
2 279På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
RF-förstärkare 20W,17.3-21.2GHzPA-die
- QPA1724D
- Qorvo
-
1:
7 975,46 kr
-
5På lager
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
772-QPA1724D
Ny produkt
|
Qorvo
|
RF-förstärkare 20W,17.3-21.2GHzPA-die
Denna produkt kräver eventuellt ytterligare dokumentation vid export från USA.
|
|
5På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
|
|
|
|
|
GaN FET GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
- GANB8R0-040CBAZ
- Nexperia
-
1:
23,51 kr
-
2 501På lager
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
771-GANB8R0-040CBAZ
Ny produkt
|
Nexperia
|
GaN FET GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
|
|
2 501På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
AC/DC-omvandlare 35 W (85-580 VAC)
- INN3626C-H606-TL
- Power Integrations
-
1:
33,19 kr
-
2 380På lager
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
869-INN3626C-H606-TL
Ny produkt
|
Power Integrations
|
AC/DC-omvandlare 35 W (85-580 VAC)
|
|
2 380På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
GaN FET 30W, DC - 6GHz, Flanged
- QPD1035L
- Qorvo
-
1:
4 407,41 kr
-
73På lager
|
Mouser artikelnummer
772-QPD1035L
|
Qorvo
|
GaN FET 30W, DC - 6GHz, Flanged
|
|
73På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
50
|
|
|
|
|
Styrdrivenheter High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
- MASTERGAN3TR
- STMicroelectronics
-
1:
55,35 kr
-
461På lager
|
Mouser artikelnummer
511-MASTERGAN3TR
|
STMicroelectronics
|
Styrdrivenheter High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
|
|
461På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
- TP65H030G4PRS-TR
- Renesas Electronics
-
1:
103,05 kr
-
1 109På lager
-
2 600Förväntad 2027-04-26
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
227-TP65H030G4PRS-TR
Ny produkt
|
Renesas Electronics
|
GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
|
|
1 109På lager
2 600Förväntad 2027-04-26
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
1 300
|
|
|
|
|
GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
- TP65H030G4PWS
- Renesas Electronics
-
1:
108,45 kr
-
1 036På lager
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
227-TP65H030G4PWS
Ny produkt
|
Renesas Electronics
|
GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
|
|
1 036På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
|
|
|
|
|
GaN FET 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT070R70HTO
- STMicroelectronics
-
1:
96,41 kr
-
310På lager
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
511-SGT070R70HTO
Ny produkt
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
310På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
1 800
|
|
|
|
|
GaN FET 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT080R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
62,89 kr
-
840På lager
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
511-SGT080R70ILB
Ny produkt
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
840På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
GaN FET 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT105R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
52,43 kr
-
949På lager
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
511-SGT105R70ILB
Ny produkt
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
949På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
AC/DC-omvandlare Advanced quasi-resonant offline high voltage converter with E-mode GaN HEMT 700V
- VIPERGAN50WTR
- STMicroelectronics
-
1:
28,58 kr
-
1 397På lager
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
511-VIPERGAN50WTR
Ny produkt
|
STMicroelectronics
|
AC/DC-omvandlare Advanced quasi-resonant offline high voltage converter with E-mode GaN HEMT 700V
|
|
1 397På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
4 000
|
|
|
|
|
Styrdrivenheter
- LMG2652RFBR
- Texas Instruments
-
1:
128,25 kr
-
998På lager
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
595-LMG2652RFBR
Ny produkt
|
Texas Instruments
|
Styrdrivenheter
|
|
998På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
Styrdrivenheter
- LMG3614REQR
- Texas Instruments
-
1:
71,44 kr
-
1 997På lager
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
595-LMG3614REQR
Ny produkt
|
Texas Instruments
|
Styrdrivenheter
|
|
1 997På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
Styrdrivenheter 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
- LMG3624ZREQR
- Texas Instruments
-
1:
71,44 kr
-
2 000På lager
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
595-LMG3624ZREQR
Ny produkt
|
Texas Instruments
|
Styrdrivenheter 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
|
|
2 000På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
|
|
|
|
|
Styrdrivenheter 650V 270mohm GaN FET with integrated dri
- LMG3626ZREQR
- Texas Instruments
-
1:
61,54 kr
-
2 000På lager
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
595-LMG3626ZREQR
Ny produkt
|
Texas Instruments
|
Styrdrivenheter 650V 270mohm GaN FET with integrated dri
|
|
2 000På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
|
|
|
|
|
GaN FET 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
- EPC2090
- EPC
-
1:
40,39 kr
-
2 374På lager
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
65-EPC2090
Ny produkt
|
EPC
|
GaN FET 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
|
|
2 374På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
GaN FET 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
- EPC2091
- EPC
-
1:
94,16 kr
-
990På lager
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
65-EPC2091
Ny produkt
|
EPC
|
GaN FET 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
|
|
990På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
Styrdrivenheter EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage
- EPC2152
- EPC
-
1:
88,54 kr
-
491På lager
-
2 500Förväntad 2026-12-24
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
65-EPC2152
Ny produkt
|
EPC
|
Styrdrivenheter EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage
|
|
491På lager
2 500Förväntad 2026-12-24
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
500
|
|
|
|
|
GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5
- IGD70R140D2SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
27,79 kr
-
1 924På lager
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
726-IGD70R140D2SAUMA
Ny produkt
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5
|
|
1 924På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5
- IGD70R200D2SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
23,29 kr
-
2 161På lager
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
726-IGD70R200D2SAUMA
Ny produkt
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5
|
|
2 161På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5
- IGD70R500D2SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
18,00 kr
-
3 238På lager
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
726-IGD70R500D2SAUMA
Ny produkt
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5
|
|
3 238På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
GaN FET Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
- IGI65D1414A3MSXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
72,00 kr
-
2 968På lager
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
726-IGI65D1414A3MSXU
Ny produkt
|
Infineon Technologies
|
GaN FET Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
|
|
2 968På lager
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
3 000
|
|
|