Resultat: 6
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Teknologi Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Förpackning
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW 300På lager
94,29 kr
64,51 kr
53,19 kr
47,59 kr
44,84 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 41 mOhms 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW 268På lager
86,71 kr
51,10 kr
43,08 kr
41,76 kr
39,34 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms 10 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW 126På lager
112,54 kr
76,71 kr
74,73 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 69 A 29 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW 289På lager
720På beställningen
103,31 kr
56,27 kr
52,09 kr
51,76 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 68.5 A 41 mOhms 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW 181På lager
142,32 kr
80,12 kr
78,69 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 69 A 29 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW 71På lager
500Förväntad 2026-12-10
76,60 kr
41,43 kr
38,03 kr
34,84 kr
Min.: 1
Multipla: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms 10 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube