SiC-MOSFET:ar – Mouser Sverige

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultat: 10

Tillämpade filter:

Monteringsstil

Paket/låda

Id - Kontinuerlig dräneringsström

Rds på - Dräneringskällans resistans

Vgs - Gate-källans spänning

Vgs th - Gate-källans tröskelspänning

Qg - Gate-laddning

Maximal drifttemperatur

Pd - Effektavledning

Kvalificering

Återställ alla

Sök inom resultat

På lager

Finns normalt i lager

Aktiv

Nya produkter

Överensstämmer med RoHS-direktiv

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Artikelnummer

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 176,61 kr
448På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT018W65G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

Datablad

448På lager

176,61 kr

114,74 kr

106,82 kr

94,62 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: 128,58 kr
596På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT027H65G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT027H65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

596På lager

Klipp band

128,58 kr

89,79 kr

81,88 kr

74,40 kr

Papprulle

68,03 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: 109,90 kr
487På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT040W65G3-4

Mouser artikelnummer
511-SCT040W65G3-4

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

487På lager

109,90 kr

60,23 kr

56,16 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-4

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 126,82 kr
481På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT040W65G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

481På lager

126,82 kr

91,88 kr

78,69 kr

67,81 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-4

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: 86,49 kr
1 404På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT055TO65G3

Mouser artikelnummer
511-SCT055TO65G3

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

Läs mer

Datablad

1 404På lager

Klipp band

86,49 kr

59,13 kr

48,80 kr

44,29 kr

40,55 kr

Papprulle

40,55 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 800

SMD/SMT

TOLL-8

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: 156,61 kr
22På lager
1 000Förväntad 2027-01-29

Tillverk: Artikelnummer
SCT018H65G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

22På lager

1 000Förväntad 2027-01-29

Klipp band

156,61 kr

110,45 kr

94,18 kr

Papprulle

87,92 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: 114,41 kr
727På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT040H65G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

Läs mer

Datablad

727På lager

Klipp band

114,41 kr

64,40 kr

62,64 kr

Papprulle

59,24 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 000

SMD/SMT

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: 97,37 kr
14På lager
1 800Förväntad 2027-01-29

Tillverk: Artikelnummer
SCT040TO65G3

Mouser artikelnummer
511-SCT040TO65G3

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

Läs mer

Datablad

14På lager

1 800Förväntad 2027-01-29

Klipp band

97,37 kr

66,93 kr

53,63 kr

50,99 kr

47,26 kr

Papprulle

47,26 kr

Min.: 1
Multipla: 1

: 1 800

SMD/SMT

TOLL-8

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 142,10 kr
5På lager
600Förväntad 2027-04-16

Tillverk: Artikelnummer
SCT055W65G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Läs mer

Datablad

5På lager

600Förväntad 2027-04-16

142,10 kr

108,25 kr

96,93 kr

78,58 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1 000: 82,43 kr
Ledtid för icke lagerfört 25 Veckor
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT018H65G3-7

Mouser artikelnummer
511-SCT018H65G3-7

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

Ledtid för icke lagerfört 25 Veckor

Papprulle

82,43 kr

Min.: 1 000
Multipla: 1 000

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 10 V, 22 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

Kundtjänstkontor

Företag

Resurser

Support